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1，反激变换器中MOS开关管的 额定电压 有哪几个等级如100v

具体参数要看各个型号的MOSFET。一般最高是600V。百度“MOSFET选型”可以去查看下。

反激变换器中MOS开关管的 额定电压 有哪几个等级如100v

2，电动车控制器一个mos管多少伏

电动车控制器一个mos管多少伏原因。1、根据相关公开信息查询：48v的是70v左右，60v的在75~85v左右，72v在100v。电动车，即电力驱动车，又名电驱车，电动车分为交流电动车和直流电动车，通常说的电动车是以电池作为能量来源，通过控制器、电机等部件，将电能转化为机械能运动，以控制电流大小改变速度的车辆。

电动车控制器一个mos管多少伏

3，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

4，高压MOS和低压MOS是怎么区分的 高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。 做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

5，mos管什么参数的单位是安每伏的平方

这与mos管沟道面积大小有关的制做工艺。沟道面积大承载电流也大、硅片所需面积也大。结层做的厚耐压也高，确定了这两个标准派生上万型号，N/PmOs/A/V。

6，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

7，功率MOSFET

万万不可！理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了，是物理击穿不可逆的。更无稳压作用可言，你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的
mos-fet即金属-氧化物半导体场效应管。就是用功放管为mos场效应管组成的功率放大器。电路类型与双极型晶体管一样，同样也可以是甲类、甲乙类或乙类的。

8，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件， 也 就是说，前者是流控，后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

9，MOS管参数

mos管主要参数如下：1.开启电压vt·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。2. 直流输入电阻rgs·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。3. 漏源击穿电压bvds·在vgs=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds·id剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id4. 栅源击穿电压bvgs·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。5. 低频跨导gm·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征mos管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几ma/v的范围内6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用原点的ron来近似·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1～3pf·cds约在0.1～1pf之间8. 低频噪声系数nf·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝（db）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
你确定有MT3205这个型号？我在比较权威的电子元器件网站怎么查不出来？另外，前面这个应该是IRF3205，这个很常见，可以轻松买到。你要是不放心，直接用前面这个好了。

10，CMOS逻辑电路的MOS参数

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内 。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小 。
cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安，但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多，速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同，从几毫安到几十毫安，这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出，超出驱动逻辑电平定义区域，其电流输出能力还要高一倍到几倍，有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器，就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例，以下为74系列中全部使用（如74hc）或部分使用（如74abt)cmos技术的ic，不包括纯双极型，如74ls,74f等。低为低电平吸入电流，高为高电平扇出电流，单位为毫安。型号 低 高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8

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