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1，npn三极管导通压降

1，三极管导通压降是Vbe电压NPN的压降是基极高於发射极0.7V，PNP是发射极高於基极0.7V 2，另外一个饱和压降是VceNPN饱和压降是发射极和集电极的压降=0.3V，集电极高於发射极0.3VPNP反之

npn三极管导通压降

2，三极管在饱和状态时为什么集电极压降只有03v

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。笔者曾经做过实验，采用日本公司生产的2SD1960高β三极管（该管外形跟9013完全一样，β最高可达1000，其Icm达5A）驱动一个800mA的小灯泡，在管子处于饱和状态时，实测其饱和压降仅有90多mV。

三极管在饱和状态时为什么集电极压降只有03v

3，小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。扩展资料：常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。参考资料来源：百度百科-三极管

小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗


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