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1，想找一款p沟道mos管做开关Vgs只能提供36V控制电压要求导

市场上好少，在电池应用领域，压降大损耗能量大
导通压降取决于通过的电流
有的

想找一款p沟道mos管做开关Vgs只能提供36V控制电压要求导

2，Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

建议把R6改小点。
这个电路就可以实现你的要求。
R6可以不用，这样MOS导通快速
这个三极管可以不用

Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

3，是否有 40A 150V mos管要求Vgs 5V时能完全导通

N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。
应该不是吧。

是否有 40A 150V mos管要求Vgs 5V时能完全导通

4，栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电压Vgs时不安全时

一般在3.3~4v时可以导通，10v是内阻达到最小，不要超过10v使用
实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

5，请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

任务占坑
1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆

6，有没有低压驱动MOS管Vgs12V

BSP75N VIgs(th）=1.8V再小的话非常容易误动作。你那个图，M不是mos，1.2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。
指的是开启电压，最小0.6v，最大1.2v。就是这个型号的管子的开启电压（gs之间加上一定的电压刚刚好使ds之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2v之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

7，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。
你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

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