1，介绍一下irf260n

irf260n是芯片 电子元件产品
260 ，开起来挺好的，视野好，座椅也舒服，换挡杆非常方便，就是前后雷达反应很慢，其他的挺好的。请采纳

介绍一下irf260n

2，IRF260能否代换IRF740

IRF260的VDss是200V，RDs是0.04欧，ID是56A。 IRF740的VDss是400V，RDs是0.55欧，ID是10A。电压VDss低，看应用场合，电压高代替不了。

IRF260能否代换IRF740

3，大家的的CPU2600K电压都多少

这个要看CPU体质的，主板默认是1.2v，超频一般4.5G以下1.35v以下达成，5.0G的话好多都1.4v才稳住。我用的I5 2550K 4.2G 电压1.2v，再低有千分之一机率出问题。

大家的的CPU2600K电压都多少

4，irf260可以做单管自激特斯拉吗

当然可以，场管自激特斯拉早就已经烂大街了并有各种改进，给你一张最基础的图和效果这是最基本的电路图，有几个注意点1: 电压最好在20V以上，容易起振2:105电容必不可少，少了不工作。可以用两个0.33电磁炉电容代替3：电位器可以用10k，20k都行，分压用的没什么要求，但是测试前必须将电位器调到负极，上电后缓慢旋转电位器，直到出弧，注意一定要慢！旋过了就导通短路了4：最重要的一点，初级接场管D极和次级接场管G极的线圈绕向一定要相反，否则不会起振初级2-3t，次级在75的pvc管子上用0.15左右的漆包线绕满15厘米高，越高越好。另附效果图24V时这个是加了图腾柱驱动，有效降低发热能效大大提高了。46V加灭弧，你没看过，这就是单管自激特斯拉，不是什么复杂的sstc（这本身就是个货真价实的sstc）。我刚玩这个励磁器没几天就已经做出超越普通sstc的效果了，勇于尝试就会成功

5，讯景GTX260需要多大电压

电压不用管，都是插在主板上用的。 GTX260这款显卡运行功率最高130W附近，但一般预算要到150W，以免电源使用一段时间后功率衰减，然后再配上相当档次的CPU，电源额定总功率要350W以上，推荐额定400W的电源。
计算电脑功耗 http://www.belson.com.cn/pwcount/pwcount.asp GTX260满载功耗182W

6，mos的irfp250irfp250nirfp260irfp260n有什么区别npnpnp的关

这些都是MOSFET管，不是三极管（三极管有NPN，PNP之分，MOSFET没有这种说法）。1、工作电流不同IRFP250与250N在参数上有少量区别，250的持续电流ID为33A，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值）。2、功率不同耗散功率IRFP250为180W，250N为214W。3、导通电阻不同导通电阻IRFP250最大为0.085欧，250N为0.075欧。4、工作产生的温度不同IRFP260和260N最核心的差别是，后面的N代表的是温度特性，不带N的正常工作范围是-55- 150摄氏度，带N的可以达到-55 - 175摄氏度。扩展资料当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。MOS电容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反转（VBG=3V），（C）积累（VBG=-3V）。正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。参考资料来源：百度百科-mos管

7，GTX260的显卡需要额定多少W的电源

用的放心么建议上额定400w以上的电源。航嘉不错
品牌电源,额定300W就够了,象航加的冷钻,很经典的一款 垃圾电源,额定400都没用,因为是虚标 如果是AMD的四核U,推荐用航加宽幅,额定350,够用,有余
給你一個保守的建議 上450W的電源
350W
额定400W以上 四核U
最好是额定400W以上

8，避雷器255V的启动电压是多少启动

启动电压:当达到启动电压所规定的额定值时，避雷器就开始动作。简单的说，就像水坝一样，启动电压就是坝顶的高度，超过坝顶的高度，水就溢出来了。255V启动电压值的是交流有效值，他的峰值是255乘以根号二，约等于361V，也就是说，要让设备在255V下正常运行，避雷器的启动电压就必须高于361V。385V的也是如此的推算。
你好！启动电压: 顾名思义就是；当达到启动电压所规定的额定值时，电泳保护器就会动作。 （打个比方；启动电压400V，当线路上的电压≥400V时，电泳保护器就会开始工作，保护设备因过电压形成的损害）如有疑问，请追问。

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