1，IGBT吸收电容的选择标准是什么

重要的是DV/DT值，目前市场上看到的epcos、TechCap、和icel的多，wima的几乎看不到了

IGBT吸收电容的选择标准是什么

2，这个版该用多大的电容

这是电源板，是直流电路，电容容量尽量大，耐压大于输入电压。如输入是12伏，可以用1000微法／大于等于16伏的。
2000-3000hz分频点，根据阻抗不同有所不同，不过大概都在4.7-6.8uf，这些规格的电容比较通用。

这个版该用多大的电容

3，求教大神IGBT17分别是什么作用如何用万用表判断IGBT 的好坏

以N沟道为例：先三脚连一起放掉静电。有反接二极管的，就可以确定三个脚D S和G，因只有S向D是通的，二极管档。无二极管的，可以用12V电源，串一个灯泡测试，随便接哪者不会坏IGBT的，D正S负，G碰一下正为导通灯亮，G断开后依然会导通小段时间（电容存电）。G碰一下负即关断，这是跟可控硅的区别。
首先测ge、ce间电阻，好的应该是千欧以上；再有量ec间续流二极管是好是坏，好的正向管压降应该在1-2v之间，击穿后应该0.3左右，如果你有晶体管测试仪也行。

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4，IGBT驱动 波形求助

看你波形基本正常，如果黄色是下管，蓝色是上管驱动的话，有可能是下管动作的时候导致上管E级浮动，导致的共模干扰，把探头双绞，或者用蓄电池的手持示波器可以用来排除这个问题。如果这样还有的话，就是调吸收和驱动电阻了。希望对你有用。
呵呵，好像在哪个论坛的版块也看到你这个问题了，为什么你的GND(VE)不是接到IGBT的E极，而是用VEE（-7.5V）去接IGBT的射极？
CE之间加上缓冲吸收电容，并联电阻，试着选取，电容容量要适当，太大则影响Uge波形，太小则吸收效果不好，我也在调试呢

5，IGBT C极和E级之间的电容值应该怎么得到

任务占坑
IGBT管在导通时，其C极电压越低，IGBT管内部的损耗越小，反之则损耗越大。当IGBT管内部损耗超过规定值时，IGBT管会因为内部发热严重而烧坏。在电磁炉理想的工作状态下，IGBT管C极电压为0时开通IGBT，其内部损耗为0（W=UI），但实际在电磁炉工作时，C极电压不可能为0，所以只能取IGBT管C极最低电压时开通IGBT管，使IGBT管的开关损耗最小。所以同步就是IGBT管C极电压最低时的检测，也就是最佳的IGBT管导通时机。硬件类一般都上硬之城看那里比较专业，专业的问题专业解决，这是最快的也是最好的方法，好过自己瞎搞，因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错，所以还是找专业的帮你解决。

6，用兆欧表怎么测量电容的好坏多大容量用什么档位说具体一点 谢谢

很多好一点的表都有电容量程，可以直接测量，如果没有电容量程可以用下述方法：1.方法：如果没有电容量程的话，最好用指针表。如果是指针表，测量时可以看到指针从无穷大到某一刻度，然后逐渐减小到无穷大；再反向测量一下，刻度从无穷大到某一刻度（此刻度大于第一次测量刻度，接近2倍），然后逐渐减小到无穷大。如果是这样话，说明电容基本是好的，但不好确定容量。如果出现指针不动的情况，说明电容坏了，出现开路。如果出现指针固定某一值的情况，说明电容击穿出现短路。如果指针有摆动但最后没有停止在无穷大的地方，说明电容有漏电电流。如果用数字表的话，原理是一样的，只不过如果数字表采样周期长的话，测量小容量电容时，有时看不清楚。2.量程:如果电容在1UF以下的话，一般使用兆欧量程，容量在1UF以上的话，一般使用千欧量程。当然不管电容多大你都可以从最大量程开始，这样整个变化过程看的更清楚，结果也更容易判定。

7，单片机电路VCC和GND之间的电容多大为好

芯片的电源和地之间的电容，称为高频旁路电容作用就是把电源中的高频杂波对地短路，降低电源输入对芯片的影响。一般对于单片机的旁路电容选择，需要根据工作电源水平、电源的纹波系数、工作场合的干扰水平来进行选择。对于一般工作场合的5V供电单片机，一般选择0.1UF（104）的电容另外旁路电路在布置时，需要尽可能的靠近单片机芯片的VCC端，引线尽量短，否则效果会下降资料上说的10uF和0.1uF，一般接在电源进线端，最好选用钽电容。而芯片端一般只需要0.1uF的陶瓷电容即可
这要看电路板有多大了，板子大了，就多加几个，通常加1，2就可以。每个用100uf或220uf都行，容量不要太小了。因现在电解电容体积都 不大。最好在每个芯片的电源vcc端加一个104片电容。
100p并联0.1μ
开关电源的入口处加大电解电容储能，100UF以上。单片机的VCC脚靠近接10UF+0.1uF陶瓷电容。就你这应用不会有问题。

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