开关电源的MOS一般规格是多少，你好 请问 你们用的电源mos模块 是什么规格啊我们也做这个的
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-16 08:41:51
1，你好 请问 你们用的电源mos模块 是什么规格啊我们也做这个的
做电源模块的 MOS管很多都用 FDD2582 FDD3682 这种TO-252贴片的MOS管。你实际测量源漏两端的电压了吗，记住了是源漏直接在mos上测量。也许那个值只有几伏呢
2，请教电动车充电器上用的MOS管是什么规格的
我修充电器用的都是7N60B，其它如4N60B，8N60B，6N60B，都可以代换。 MOS管电压一般大于600V、电流4A以上.封装形式一般为3脚直插件式带散热片
3，开关电源里MOS管的大小选用和什么有关系
MOS开关管的选择，与开关电源的输出功率有关，与输入电压的波动范围有关，与电路中管子工作的激励方式和激励量有关。mos管驱动上有个台阶是因为mos管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是mos管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。
4，开关电源如何选择合适的MOS管MOS管主要看那些参数RdsQgVds百度
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
5，开关电源MOS管的功率计算方法
给mos管两端加上直流电，然后让mos导通，看一下耗电就行了。也不能说不用在意其功率啊，开关管导通或截止的时候有一个过程，这个过程的瞬时功率是比较大的，所以选开关管功率要有比较大的余量。给你说个概念吧1 导通损耗 2 开关损耗3 驱动损耗4 反向恢复损耗基本上就是这样
6，常用大功率MOS管MOS模块有哪些型号规格参数
500V20A的MOS，500V22A，500V25A的MOS，500V28A，500V30A，500V33A的MOS，500V35A，500V37A，500V40A的MOS，500V42A，500V45A，500V48A的MOS，500V50A，500V53A，500V55A，500V57A，500V60A的MOS，500V63A，500V67A，500V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS管。海飞乐技术，台湾芯片，封装有TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227600V20A的MOS，600V22A，600V25A的MOS，600V28A，600V30A，600V33A的MOS，600V35A，600V37A，600V40A的MOS，600V42A，600V45A，600V48A的MOS，600V50A，600V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
7，请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢
能承受的最大关断电压（留一定阈值），关断与开通损耗，能承受的最大温升（考虑整体散热）。
1，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。
2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
不知道是否回答你的问题，你可以去看一下开关电源相关资料 就知道啦！
8，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏
你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。
9，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数
在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小 一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。 若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。 需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻 。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。 除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。 若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。 注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。
10，开关电源上面的MOS管要怎么选择要注意哪些参数有什么好的方
在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小 一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。 若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联MOS管，以有效降低RDS(ON)。 需谨记，在 DC 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因此，一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至最少。 除了RDS(ON)之外，在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在ORing FET应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。 若设计是实现热插拔功能，SOA曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，MOS管需要部分导通工作。SOA曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。 注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的MOS管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用PowerQFN封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，RθJC 定义了裸片与封装系统的热效应。RθJA 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。mos管驱动上有个台阶是因为mos管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是mos管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。根据三种不同的拓补来接。三种拓补是开关电源的基本，如果不了解那就不用玩开关电源了。开关管要注意的是频率，额定电压和额定电流。我司是做MOS管的原厂，开关电源这一块，做的很成熟，希望我能帮到你。 请问您需要什么参数？
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