三极管关断时间大约是多少，rc与三极管延时电路时间计算
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2022-12-18 08:49:49
1，rc与三极管延时电路时间计算
使用RC暂态响应方程计算：v(t)=v(0)e^-t/RC
lnv(t)/v(0)=-t/RC
v(0)=5V，v(t)=1.4V（三极管和二极管的结压降），由RC参数计算得到。
2，NPN型硅三极管截止时uBE
NPN型硅三极管截止时uBE < 0.7V，IB = IC =0；在放大区uBE = 0.7V，IC =β× IB；饱和时 uBE = 0.7V，uCE = UCES 其值约为0.7V。
3，半导体三极管工作在饱和区时Uces约为多少当工作在截止区时Ic约
这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助β=(2-1/22-12)*1000=100 答：β＝100
4，三极管的开关时间有什么作用
三极管都有开关作用。普通三极管当b极没有电流时会截止的，但是可控硅（也是一种三极管）却是只管导通不能控制截止，就是说b极给电流导通之后不能控制ec截止，只有当ec电流为零或者反向之后才能自行截止，你说的应该是可控硅吧。你的理解没有错，三极管除了放大信号，还经常用来做开关处理数字信号，开关时间越短处理速度越快，而且数字信号畸变越小
5，可控硅关断时间一般是多少
看系列，工业用kp ，kk ，ka 的可控硅我都用，ka的关断时间我用的在7微妙左右kk的长点，kp的没注意过一般也不要求，可控硅有通断条件如下所示：1、导通条件：2、关断条件：可控硅晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个pn结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。那要看你的需要了。一般用于工频控制的话，理论上是0~20mS，实际应该在0.1~19.9mS没有问题。
6，名词解释 1电力晶体管的关断时间
交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联，单向和双向可控硅是零电流关断，也就是交流电的半个周期，比如50Hz是10ms，场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关。直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出，不会有可控硅输出，其关断时间和电路形式及器件本身特性有关。1；电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大2；伺服电机（servomotor）是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，是一种补助马达间接变速装置。伺服电机可使控制速度，位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。在自动控制系统中，用作执行元件，把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。分为直流和交流伺服电动机两大类，其主要特点是，当信号电压为零时无自转现象，转速随着转矩的增加而匀速下降。3；具体内容可以百度一下电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5kHz左右
7，晶体管的关断时间是什么意思
晶体管的判断时间分两部分：一、当晶体管的输入端，接到关断信号后，到集电极电流从最大值下降到90%时的时间，称为“存贮时间”，用ts表示；二、集电极电流从最大值的90%下降到10%，所需的时间，称为“下降时间”，用tf表示。关断时间等于这两个时间之和：Toff=ts+tf.绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。 作为开关使用时，为使通态压降uce低，通常选择为氏e值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。uge值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，ug。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻r。的取值影响开关时间，rg值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但rg值减小时，di/dt增大，可能会导劲gbt误导通。r殖一般取几十欧至几百欧。主要参数ic为集电极额定最大直流电流;u(boces为门极短路时的集一射极击穿电压。 绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。 mosfet关断，pnp管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当igbt导通时，工作在特性曲线电流上升区域，uge增大时，uce值减小。的最大耗散功率;uce(sat)为集一射极间的饱和压降;ice(、，为门极短路时集电极最大关断电流;rth为结壳间的最大热阻;t为最高工作温度。发展表中列出了各代igbt器件的典型特性参数。igbt发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。
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