这个NMOS晶体管的阈值电压实际上是负的。然而，DS电压之间的电压差并不显著，NMOS的导通条件要求VGS大于阈值，MOSFET-P和MOSFET-N的区别:MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了正常工作，NMOS管施加的Vds必须为正，导通电压VT也必须为正，并且实际电流方向是流入漏极。
通常，PMOS晶体管（PMOS晶体管的经典开关电路）会有寄生二极管，用于防止源极和漏极端子反向连接。对于PMOS，相对于NMOS的优势在于其导通电压可以除以电阻r，但通常使用NMOS晶体管，而您使用的是PMOS。与NMOS不同，PMOS管施加的Vds必须为负。在这种情况下，NMOS管相当于一个断开的开关，电流不能从源极流向漏极。
首先，当NMOS晶体管的栅极电压低于阈值电压时，不能形成沟道，并且高阻抗状态位于源极和漏极之间。这是一种自偏置电路结构，因此确定了栅极电压，然后确定了源极电压；此外，BSS，这种晶体管被称为耗尽型NMOS，设置恒定电流。此电路的恒流公式为I = U .这是一个典型的恒流电路，随着栅偏压的增加，沟道越来越强。
文章TAG：NMOS MOSFET 电压 阈值 沟道
