led芯片材料生长方式,外延片和芯片的区别

LED芯片技术发展的关键在于衬底材料和外延生长技术。LED芯片是LED的主要材料，LED芯片生长在蓝宝石材料上，具有长电极，然后切割和分类，l确切地说，GaN-led芯片由蓝宝石或sic制成，这是因为GaN没有块状材料，无法同质外延，我们只能通过异质外延生长，基础材料已经从传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅发展到氧化锌和氮化镓等新材料。

芯片:芯片的用途是将电能转化为光能用于照明。外延片:外延片是LED芯片中后段工艺的必需品。但SiC与GaN的晶格失配小、热导率高，非常适合制备大功率led。LED、多晶硅、集成电路IC等。都可以看作是半导体芯片，只是半导体的材料和工艺不同；LED主要是GaN，光的波长，也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

InALGnIn和其他可以发光的材料、多晶硅（元素硅的一种形式）可以主要用于形成太阳能电池板。在LED芯片的电极上施加相应的电流后，它可以发光，但由于LED芯片非常小，因此不方便直接将其用作光源，此外，它可以直接用作光源。外延片:外延片的目的是在外延片上增加电极，便于产品的密封封装。

短短几年间，在包括芯片结构、表面粗糙化处理和多量子阱结构设计等一系列技术改进的帮助下。然后，处理LEDPN结的两个电极。电极加工也是制造LED芯片的关键工艺，包括清洗、蒸发和黄光。当电流通过导线作用于芯片时，电子将被推到P区，在那里与空穴重新结合，然后它们将以光子的形式发射能量，这就是LED发光的原理。

MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。需要指出的是，没有白光LED芯片，只有白光LED灯泡/灯管，即需要封装的小型白光LED灯，也称为灯泡和灯管，用途不同，用途不同，蓝宝石价格便宜，外延技术成熟。二是可靠性测试，主要参数包括光衰减、漏电、背压、抗静电、I-V曲线等，这些数据一般通过老化测试。