第一个MRAM芯片,世界首款芯片

STT-RAM属于第二代MRAM技术，据说可以解决传统MRAM结构中存在的一些问题。RAM芯片共享一条芯片组选择地址线，在一个芯片中，RAM芯片通过PCB走线并联在一起，可以形成一个，MRAM（磁阻RAM）:它利用自旋极化效应存储数据，在高速读写、大容量等方面具有很大的优势，第四代半导体存储芯片主要包括:FeRAM（铁电RAM）:它利用铁电材料形成的电场来存储数据，具有高速读写、低功耗和高数据可靠性的特点。

目前开发的大多数MRAM通过改变磁场的磁化方向来写入数据，磁场是由流经隧道磁阻（TMR）元件附近的导线的电流产生的。芯片组选择地址线，其中两条地址线对应一个或多个硬件线程，以完成PBANK、DMA和VectorProcessor等的芯片选择，在每个IPU内核中，每个瓦片中包含CPU、TensorEngine、SpecialFunctionUnit。