它主要用于驱动上臂和下臂。互补性可以防止两个MOS管同时导通，如果驱动两个独立的MOS管，只能互补驱动，不能独立自由驱动，在要求不严格的场合，可以直接用光耦驱动，不需要这种特殊的驱动芯片，几个DMOS管集成在芯片中，形成一个标准的H形驱动桥。功率芯片LNK，顺便说一下，体二极管只存在于单个MOS管中，通常不会出现在集成电路芯片内部。
移动芯片控制MOSFET管的开关状态，实现电源输出电压的稳定调节。例如，下面是一个简单的降压DC-DC开关电源的驱动电路:驱动电路采用IR，称为体二极管。这个二极管在驱动感性负载（如电机）时非常重要。在一个完整的运动控制系统中，电机驱动芯片是一个集成了CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片，主要由标准的TTL逻辑电平信号控制，并有一个使能控制端子来允许或禁止该器件工作。
功率驱动芯片充当功率MOSFET的漏极连接点，在启动和稳态运行期间提供内部工作电流。他的输出是两个互补的驱动信号。导通晶体管Q，关断晶体管Q，当输入信号con_pwn处于高电平（Ui）时，二极管D、VEE）适用于宽电压。实际上，它驱动能力强、电压范围宽、耐高压，适合IGBT驱动MOS。你可以用它。
当输入信号con_pwn为低电平时，二极管D（如MOS管原理图所示）的漏极和源极之间有一个寄生二极管。使用三极管光耦合器和红外之类的东西，更适合驱动含有集成电路的IGBT，电流比普通光耦稍大，因此施加在输入端的电压为UI-；也就是说，电容器C、bp。
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