4p1s单端屏级电压多少v好听，4p1s单端用什么耦合电容好听

1，4p1s单端用什么耦合电容好听

各有优点但必须要用优质的电容，不可用电解质的。涤纶的、瓷片的、纸质的均可。

我是来看评论的

4p1s单端用什么耦合电容好听

2，简单的热水器放在水里水里会有电吗有电那电压会是多少产品类

水里有电。漏电电压220

水里是有电的，漏电接地电压与电源电压相同，，

不会有电的

也是220

简单的热水器放在水里水里会有电吗有电那电压会是多少产品类

3，TCL3416 伴音小开到最大勉强可以听带些TDA2616供电脚有25

首先，要确定是机顶盒还是电视机出问题，用VCD试试，或接收模拟试试，或AV有图时并调大音量用手触碰AV之A输入端看有没有嘟声。如果是电视问题，分四个情况去思考，也适用完全无音故障。1 是不是功放部分坏了？2 音量控制电路实际处于小音量状态？3 静音电路处于静音状态？4 信号源转换电路坏？

你好！音量放到最大时，声音有没有失真？如果是就先把TDA2616换了吧！如果没有失真，只是声音小，查看一下主控到功放的VOL控制有没有问题。如果对你有帮助，望采纳。

TCL3416 伴音小开到最大勉强可以听带些TDA2616供电脚有25

4，供电电压380V370米的时候的电压降能到多少

380V的电压输送的最长距离大概有个三四百米,所以在370m的情况下变化不大

铝电缆上应该有电阻用电阻乘以电流电流也就是380除以电缆电阻加上输出端电阻得出的就是电压降

负载电流：i＝p/1.732/u/cosφ＝110/1.732/0.38/0.78≈214(a)，长度：l＝800米，铝电线截面：s＝185平方，铝线电阻率：ρ＝0.0283求单根铝线电阻：r＝ρ×l/s＝0.0283×800/185≈0.122(ω)末端单线电压降：u＝ri＝0.122×214≈26(v)线电压降：u＝26×2＝52(v)即：满载运行时末端线电压约380－52＝328(v)

5，UPS电池低电位深圳山特的C2KS蓄电池电压多少V算低电压多

如果你安装了软件的话，那现在导致关机的就有软件检测电压，电压低于设定值时关机；还有硬件自身的检测，硬件上不仅检测电压，还检测电流，当电压或电流低于一定值时，不足以维持UPS正常工作，不等软件发出关机信号，硬件自己就关机了！最后告诉你，一般一节电池电压到10.7V时就认为是低电压了，出于对电池的保护，此时就不能再用了！

你好！这个电压是不能人工设置的，是机器出厂就设置好了的，一般情况设置为单节电池10.5V或是10.75V，如果一组电池是3只，那么就是总电压31.5V关机，如果是6节电池一组就是63V关机。如果对你有帮助，望采纳。

根据你的情况判断：1.蓄电池总电压小于63V算低压了。2.关机的问题应该不是UPS自身的设置，UPS这产品就是保护设备用的，不会有自动关机这个选项，只有一种情况就是后端的电脑端安装了管理软件，而这个软件设置了电脑关机后UPS也关机。

6，51系统各音箱的声压调到多大合适

现在市场上的音箱贵的上千，便宜的几十元，那么到底怎样的音箱才算是一套真正的好音箱呢？下面通过音箱的相关性能指标的介绍，为大家在选购音箱时提供一些参考。 1、频响范围　　频响范围的全称叫频率范围与频率响应。前者是指音箱系统的最低有效回放频率与最高有效回放频率之间的范围；后者是指将一个以恒电压输出的音频信号与系统相连接时，音箱产生的声压随频率的变化而发生增大或衰减、相位随频率而发生变化的现象，这种声压和相位与频率的相关联的变化关系称为频率响应，单位分贝（dB）。声压与相位滞后随频率变化的曲线分别叫作“幅频特性”和“相频特性”，合称“频率特性”。这是考察音箱性能优劣的一个重要指标，它与音箱的性能和价位有着直接的关系，其分贝值越小说明音箱的频响曲线越平坦、失真越小、性能越高。如：一音箱频响为60Hz-18kHz ＋/－ 3dB。这两个概念有时并不区分，就叫作频响。从理论上来讲，构成声音的谐波成分是非常复杂的，并非频率范围越宽声音就好听，不过这对于中低档的多媒体音箱来讲还是基本正确的。现在的音箱厂家对系统频响普遍标注的范围过大，高频部分差的还不是很多，但在低音端标注的极为不真实，所以敬告大家低频段声音一定要耳听为真，不要轻易相信宣传单上的数值。多媒体音箱中的音乐是以播放MP3或CD的音乐、歌曲、游戏的音效、背景音乐以及影片中的人声与环境音效为主的，这些声音是以中高音为多，所以在挑选多媒体音箱时应该更看中它在中高频段声音的表现能力，而不是低频段。 2、灵敏系数　　该指标是指在给音箱输入端输入1W/1KHz信号时，在距音箱喇叭平面垂直中轴前方一米的地方所测得的声压级。灵敏度的单位为分贝(dB)。音箱的灵敏度每差3dB，输出的声压就相差一倍，普通音箱的灵敏度在85～90dB范围内，85dB以下为低灵敏度，90dB以上为高灵敏度，通常多媒体音箱的灵敏度则稍低一些。 3、功率大小　　该指标说简单一点就是，感觉上音箱发出的声音能有多大的震撼力。根据国际标准，功率有两种标注方法：额定功率与最大承受功率（瞬间功率或峰值功率PMPO）。而额定功率是指在额定频率范围内给扬声器一个规定了波形的持续模拟信号，在有一定间隔并重复一定次数后，扬声器不发生任何损坏的最大电功率。通常商家为了迎合消费者心理，通常将音乐功率标的很大，所以在选购多媒体音箱时要以额定功率为准。音箱的最大承受功率主要由功率放大器的芯片功率决定，此外还跟电源变压器有很大关系。掂一掂主副音箱的重量差就可以大致知道变压器的重量，通常越重功率越大。但音箱的功率也不是越大越好，适用就是最好的，对于普通家庭用户的20平米左右的房间来说，真正意义上的50W功率是足够的了，没有必要去过分追求高功率。 4、失真度　　音箱的失真度定义与放大器的失真度基本相同，不同的是放大器输入的是电信号，输出的还是电信号，而音箱输入的是电信号，输出的则是声波信号。所以音箱的失真度是指电声信号转换的失真。声波的失真允许范围是10％内，一般人耳对5％以内的失真不敏感。笔者不推荐购买失真度大于5％的音箱。 5、信噪比　　该指标指音箱回放的正常声音信号与噪声信号的比值。信噪比低，小信号输入时噪音严重，在整个音域的声音明显变得浑浊不清，不知发的是什么音，严重影响音质。信噪比低于80dB的音箱（包括低于60dB的低音炮）建议不购买。 6、阻抗　　该指标是指输入信号的电压与电流的比值。音箱的输入阻抗一般分为高阻抗和低阻抗两类，高于16Ω的是高阻抗，低于8Ω的是低阻抗，音箱的标准阻抗是8Ω。市场上音箱的标称阻抗有4欧姆、5欧姆、6欧姆、8欧姆、16欧姆等几种，虽然这项指标与音箱的性能无关，但是最好不要购买低阻抗的音箱，推荐值是标准的8Ω，这是因为在功放与输出功率相同的情况下，低阻抗的音箱可以获得较大的输出功率，但是阻抗太低了又会造成欠阻尼和低音劣化等现象。 7、音效技术　　硬件3D音效技术现在较为常见的有SRS、APX、Spatializer 3D、Q-SOUND、Virtaul Dolby和Ymersion等几种，它们虽各自实现的方法不同，但都能使人感觉到明显的三维声场效果，其中又以前三种更为常见。它们所应用的都是扩展立体声（Extended Stereo）理论，这是通过电路对声音信号进行附加处理，使听者感到声像方位扩展到了两音箱的外侧，以此进行声像扩展，使人有空间感和立体感，产生更为宽阔的立体声效果。此外还有两种音效增强技术：有源机电伺服技术和BBE高清晰高原音重放系统技术，对改善音质也有一定效果。请采纳，合作愉快

7，三极管VCCVceoVcboVeboIcmPcmft mHZ分别代表什么以及

以下是我的收藏：奉献给你吧！三极管的参数解释 △ λ---光谱半宽度 △VF---正向压降差 △Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 Cib---共基极输入电容 Cic---集电结势垒电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cjo---零偏压结电容 Cjv---偏压结电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 CL---负载电容（外电路参数） Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov)---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP---正向脉冲电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF---正向总瞬时电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop---工作电流 Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP---峰点电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 Irp---反向恢复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） ir---反向恢复电流 iR---反向总瞬时电流 ISB---二次击穿电流 Is---稳流二极管稳定电流 IV---谷点电流 Izk---稳压管膝点电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n---电容变化指数；电容比 PB---承受脉冲烧毁功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pc---集电极耗散功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 PGM---门极峰值功率 PG---门极平均功率 Pi---输入功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪声功率 Pomax---最大输出功率 Posc---振荡功率 Po---输出功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Ptot---总耗散功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q---优值（品质因素） r δ---衰减电阻 R(th)ja----结到环境的热阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r(th)---瞬态电阻 rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RE---射频电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RG---信号源内阻 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL---负载电阻 RL---负载电阻（外电路参数） roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth---热阻 Rth----热阻 Rz(ru)---动态电阻 Ta---环境温度 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tc---壳温 td---延迟时间 td----延迟时间 tfr---正向恢复时间 tf---下降时间 tf---下降时间 tgt---门极控制极开通时间 tg---电路换向关断时间 Tjm---最大允许结温 Tjm---最高结温 Tj---结温 toff---关断时间 toff---关断时间 ton---开通时间 ton---开通时间 trr---反向恢复时间 tr---上升时间 tr---上升时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 Tstg---贮存温度 ts---存储时间 ts---存贮时间 Ts---结温 V n---噪声电压 V v---谷点电压 V（BR）---击穿电压 VAGC---正向自动增益控制电压 VB2B1---基极间电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10---发射极与第一基极反向电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VB---反向峰值击穿电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCB---集电极-基极（直流）电压 Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 Vc---整流输入电压 VDRM---断态重复峰值电压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEB---饱和压降 VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）---正向平均电压 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VGT---门极触发电压 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 Vn---中心电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vo---交流输入电压 Vp---穿通电压。 Vp---峰点电压 VRM---反向峰值电压（最高测试电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VSB---二次击穿电压 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth---阀电压（门限电压） Vz---稳定电压 δvz---稳压管电压漂移 η---单结晶体管分压比或效率 λp---发光峰值波长

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