ic正常良率是多少，怎么检测IC

1，怎么检测IC

可以使用IC测试座来检测ICIC测试座(测试插座)是对IC器件的电性能及电气连接进行测试来检查生产制造缺陷及元器件不良的一种标准测试设备。IC测试座，用于IC封装后的测试，主要包含有互相组配的一上盖板与一基座。上盖板的内部容设有通孔，以及在邻近前述的通孔附近设置有复数个测试探针，用以接触IC，各测试探针的内部容设有测试弹簧。基座的内部容设至少一承靠座，对应于上盖板的通孔，用以承载待测IC。承靠座下方与基座之间设有至少一承靠弹簧，并且通孔与承靠座之间的距离小于IC封装后的厚度，且承靠弹簧的弹性系数大于上述复数个测试弹簧的弹性系数的总和。使用IC测试座的好处：1)可避免待测IC于测试装置测试时因尺寸不合而被压损。2)可避免因测试装置与待测IC接触不良而造成测试失败。3)以提升测试良率及降低制造成本。

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2，北方集创ledic良率多少

连续三年良率超过200% 。2012年收入1300万元，2013年5000万元，2014年1.7亿元，2015年规划收入目标为超过4亿元。平面显示技术集成电路设计厂家北京集创北方科技有限公司（下称“集创北方”）正以神话般的速度增长，在触控显示芯片领域逐步树立自身在行业里的独特话语权，成为触控显示芯片市场一颗耀眼的新星。为进一步了解集创北方在手机和平板电脑市场的最新布局，5月7日，第一手机界研究院院长孙燕飚特地去到集创北方的北京总部，与集创北方董事长张晋芳展开了深入沟通。张晋芳透露，2015年集创北方最重要的动作就是，触控显示芯片要进入手机领域，并争取成为国内一线手机品牌的芯片供应商。第一手机界：对手机市场来说，集创北方目前还算是一个新兵，能否介绍一下公司的产品布局和定位？张晋芳：集创北方一直围绕着平面显示技术应用来定位公司产品，产品涵盖面板电源管理芯片(PMU)、触控芯片（TOUCH）、面板驱动芯片(TFT-LCD DRIVER)和时序控制芯片（TCON），并为终端客户提供完整的解决方案。原来屏幕只是单纯的显示部件，今天随着多媒体的发展和移动支付的需求，逐渐有了语音识别技术、生物识别技术和触控融为一体，导致屏幕变成了一个控制入口，由单向变成双向，是通向移动互联网和数字世界的入口。而集创北方则是围绕智能设备的屏幕来定位自己的产品。对于智能终端设备来说，主要是由三大块组成的，一是操作系统，二是主芯片，三是屏幕。现在中国手机品牌如小米、华为、联想等，不仅在中国市场壮大，而且开始快速拓展海外市场。现今以屏幕为中心的芯片设计厂家，基本还是台湾和国外厂家为主，集成北方市场前景在于公司将围绕电视、电脑、手机多屏合一，做好产品延伸，包括指纹识别等创新技术。移动互联网和大数据带动了屏幕的发展和革新。移动互联网+也带动了中国智能手机终端产业的发展。针对移动终端日益增长的需求，目前公司正在做触控和显示驱动芯片的整合- ITDTM，触控显示整合芯片预计在今年下半年推出。近期还将推出用于智能手表上的小尺寸屏幕的驱动芯片。

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3，三星bcwe时序

说到内存，我们都知道它是与CPU进行沟通的桥梁，在暂时存放CPU运算数据、与硬盘等外部存储器进行数据交换等方面发挥着不可或缺的作用。所以，内存的性能对一台计算机的影响非常大。我们在选购内存时，一般会重点关注内存频率的大小，因为频率越高，内存性能越好。这也是为什么很多商家选择把频率标注在最显眼地方的原因。不过除了频率，内存还有一个重要的指标值得我们关注，那就是时序。内存时序应该如何解读？是越大越好还是越小越好呢？内存时序由四个数字组成，表示内存工作的速度或者延迟，和内存频率一样，同样代表了一款内存性能的高低。我们以影驰名人堂DDR4-3600内存时序为例，从左到由的数字分别对应的参数名词为CAS（CL）,TRCD,TRP,TPAS。我们可以把内存存储的地方想象成格盘，每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就会向内存发出指令，告诉它所需要数据的具体坐标。比如说需要的数据坐标为C1。那么内存就要先确定数据在哪一行。所以时序的第二个参数TRCD，就是指内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。在确定了行数之后，内存需要进一步确定数据所在第几列，这一过程所花费的时间就是第一个参数CAS。第三个参数TRP，是指如果已经确定了一行，还需要再确定另外一行需要等待的时间。而最后一个参数TPAS，可以简单理解成内存写入或者读取数据的时间，一般而言，TPAS大于或者等于CAS+TRCD+TRP的总和。所以，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。它与频率一起，共同构成了内存性能的主要考核标准。在这种情况下，保持高频率在低延时状态下稳定运行，成为了高端内存需要具备的表现。在这背后，一个高性能的DRAM颗粒是必要的支撑。对比全球主要DRAM颗粒类型，性能参次不齐。现代的MFR和AFR IC峰值频率一般维持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超频跑到3600-4000MHz，需要加压到2V左右，时序中第一时间可以达到12，但是后两个时序（tRCD和tRP）则必须在16-18之间。镁光最新20nm制程的IC量产频率峰值可以达到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，极限超频上暂时没有惊艳之处；而三星的B-DIE IC以高频稳定的特点，声名在外。在极限超频时CAS（CL）、TRCD、TRP三个时序完全同步，能够保持时序C12-12-12运行在3866-4300MHz（或更高）完成各类世界记录的Benchmark。综合来看，DRAM颗粒孰好孰坏，大家心中现在已然有数。三星B-DIE凭借低延时、高频率、高稳定的特点深受超频玩家钦慕，成为高端市场的娇宠，例如影驰的名人堂系列内存，就采用了三星的B-DIE IC。

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