mos管导通时的电阻多少，mos管漏源导通电阻

1，mos管漏源导通电阻

mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron= 1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

mos管漏源导通电阻

2，ASEMI的MOS管7N65的静态漏源导通电阻是多少

静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A 650V栅极阈值电压VGS(TH)：30V漏电流(ID)：7A功耗(PD)：50W二极管正向电压(VSD)：1.4V静态漏源导通电阻(RDS(ON))：1.25Ω脉冲正向电流ISM：28A反向恢复时间(Trr)：293nS输出电容(Coss)：95pF贮存温度：-55~+150℃引线数量：3 7N65属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

ASEMI的MOS管7N65的静态漏源导通电阻是多少

3，三极管和mos的导通电阻大小

MOS管和三极管的区别，你真的了解吗?电子哥的日常2022-11-23 07:55四川科技领域爱好者关注MOS管和三极管的区别，很多伙伴都知道，MOS管属于电压驱动，三极管属于电流驱动。今天聊聊MOS管和三极管的具体区别。NPN三极管由2个N型半导体和1个P型半导体组成，而PNP三极管由1个N型半导体和2个P型半导体组成。因此，可以认为三极管由2个PN结组成。我们知道一个二极管中有一个PN结。三极管相当于2个二极管组成。三极管的驱动，可以认为是其中的一个二极管，去控制另外一个二极管。?比如NPN三极管，B极和E极组成一个二极管，C极和E极组成另外一个二极管。通过控制B极和E极间的二极管去控制C极和E极间的二极管。给B极和E极的二极管加上一个电压，有电流通过二极管，二极管就导通，C极和E极间的二极管也跟着导通。当二极管两端的电压拿走后，没有电流，B极和E极间的二极管就关闭，C极和E极间的二极管也跟着关闭。要想三极管打开，B极和E极需要持续一定的电流，三极管相当于小电流去控制大电流。?MOS管控制，不需要电流，只需要在G极加上一个高电平（NMOS管），由于G极和S极之间有个寄生电容，开始充电时有电流，其它时候是没有电流的，只需要在G极和S极之间维持一个电压差，NMOS管就能打开。由于这个寄生电容的原因，当加载在G极的高平消失后，NMOS管仍然能打开一段时间，直到寄生电容上的电荷放完。?MOS管的优点是功耗小，不需要消耗电流。而三极管需要持续的电流，才能维持开关打开的状态，功耗比较大。在高频电路上，MOS管同样有优势，MOS管的截止频率可以高达几Ghz。而且MOS的开启电压也不高，有的MOS管的阈值电压不到1V。?MOS导通后，D极和S极间的电阻也是毫欧级别的，甚至可以做到10毫欧左右。三极管导通后，C极和E极有0.5V左右的压降。比如负载通过的电流为5A时，MOS管的功耗P=5*5*0.01=0.25W，三极管的功耗P=0.5*5=2.5W，因此MOS管省电。三极管优势就是在价格上，有些小功率的三极管价格低至0.1元一个。另外一个优点，它能承受高压大电流。现在电路设计中，很多时候都用MOS管，三极管用的比较少；不过，对功耗不敏感的消费类电子产品，可以用价格更低的三极管

三极管和mos的导通电阻大小