mos管的关断时间一般是多少，MOS管的快速关断原理
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-22 02:55:58
本文目录一览
1，MOS管的快速关断原理
R4是Q1的导通电阻 没有 Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管
2，如何加快MOSFET关断
可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间, 在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法！！
3，24v无刷直流电机 用mos管 IRF540N沟道 和IRF9540P沟道 做驱动行
要看电机工作电流是多大才能确定。长期工作最好不超过5A
4，mos关断时间跟什么有关
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系使用者可以通过降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。
5，mosfet管的tc时间是什么时间
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上
6，三极管和MOS管开关速度谁快呀
三极管的速度快。一般说开关时间指截止到饱和导通互相转换的时间，BJT因为载流子的问题，无法快速截止，就是从饱和导通到截止的时间过长。如果BJT要获得短的关断时间，必须工作于接近饱和但又不饱和的状态，所以频率超过20KHZ以上，对效率要求高的应用不应该选用BJT。而对于普通的大功率MOS，开关时间是NS级的，频率2MHZ下的各种开关应用都可以应付。但是，MOS的价格高，耐压低，有开关寿命限制。MOS的输入相当于一个电容负载，这个电容是影响MOS开关速度的主要因素，所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。扩展资料：等效电容对MOS管的影响：从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。参考资料来源：百度百科—三极管百度百科—MOS管百度百科—PN结百度百科—电容
7，可控硅关断时间一般是多少
看系列，工业用kp ，kk ，ka 的可控硅我都用，ka的关断时间我用的在7微妙左右kk的长点，kp的没注意过一般也不要求，可控硅有通断条件如下所示：1、导通条件：2、关断条件：可控硅晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个pn结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。那要看你的需要了。一般用于工频控制的话，理论上是0~20mS，实际应该在0.1~19.9mS没有问题。
8，晶体管的关断时间是什么意思
晶体管的判断时间分两部分：一、当晶体管的输入端，接到关断信号后，到集电极电流从最大值下降到90%时的时间，称为“存贮时间”，用ts表示；二、集电极电流从最大值的90%下降到10%，所需的时间，称为“下降时间”，用tf表示。关断时间等于这两个时间之和：Toff=ts+tf.绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。 作为开关使用时，为使通态压降uce低，通常选择为氏e值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。uge值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，ug。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻r。的取值影响开关时间，rg值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但rg值减小时，di/dt增大，可能会导劲gbt误导通。r殖一般取几十欧至几百欧。主要参数ic为集电极额定最大直流电流;u(boces为门极短路时的集一射极击穿电压。 绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。 mosfet关断，pnp管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当igbt导通时，工作在特性曲线电流上升区域，uge增大时，uce值减小。的最大耗散功率;uce(sat)为集一射极间的饱和压降;ice(、，为门极短路时集电极最大关断电流;rth为结壳间的最大热阻;t为最高工作温度。发展表中列出了各代igbt器件的典型特性参数。igbt发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。
9，一个三极管和PMOSFET构成的开关电路打开正常关断的时候特
负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，输入电压vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。 详细的说，当vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃工作于截止(cut off)区。 同理，当vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃工作于饱和区(saturation)。截止状态： 当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。饱和导通状态： 当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。
10，什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间
检测绝缘栅极双极型晶体管（igbt）好坏的三大方法1、判断极性首先将万用表拨在r×1kω挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（g）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（c）；黑表笔接的为发射极（e）。 2、判断好坏将万用表拨在r×10kω挡，用黑表笔接igbt的集电极（c），红表笔接igbt的发射极（e），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（g）和集电极（c），这时igbt被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（g）和发射极（e），这时igbt被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断igbt是好的。 3、igbt模块任何指针式万用表皆可用于检测igbt。注意判断igbt好坏时，一定要将万用表拨在r×10kω挡，因r×1kω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt导通，而无法判断igbt的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（p-mosfet）的好坏。更多文章来自北京瑞田达绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。 作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压。 绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。 MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。
文章TAG：
mos管的关断时间一般是多少mos管 关断时间 时间
