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1，钽电容的耗散因数DF与损耗角正切TAN有什么关系是不是

数值上是一样的
你说呢...

钽电容的耗散因数DF与损耗角正切TAN有什么关系是不是

2，数字电桥仪频率我不知道该怎么选择钽电容就选100HZ电阻多大选1KHZ或

坦电容和电解电容一般是100Hz或者1kHz（如果国外60Hz的，用120Hz和1kHz）。电阻的话，如果是纯电阻或者常规电阻的话，频率基本没影响（高阻和特别小的低阻，影响大些）。电感的话，一般来说，低于100nH的用10kHz，100kHz甚至更高的，这些可以根据电感的生产标准来看，没有一定的标准，只要同一批次统一标准即可。

数字电桥仪频率我不知道该怎么选择钽电容就选100HZ电阻多大选1KHZ或

3，电子元件中电阻电容在生产中一般损耗率是多少

这个问题我还真的不知道，我查阅了一些资料，只说生产损耗在1-3%之间，损耗过大那就有问题了，不是生产、管理环节出了问题就是采购环节上存在问题。
这个要看生产量，首次生产还有量比较小的话，损耗率会很高，在上机器的时候，会有抛料，损耗率甚至达到80%，量大了之后，逐步下降到1%~2%以下

电子元件中电阻电容在生产中一般损耗率是多少

4，钽电解电容和铝电解电容外标记有何不同

钽电容器： 电解电容器是以电解的方法形成的氧化薄膜作为介质而做成的电容器。钽电解电容是用金属钽作电极、氧化钽作介质的电容器。特点是：化学稳定性高，额定耐压高，耐高温性能好，机械强度高，体积小。常用CA标志，其容量从0.47uF到uF，额定耐压主要有6.3、10、16、63几种。性能远优于铝电解电容，但价格比较贵。钽电解电容器是一种用金属钽（Ta）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种，在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质的钽电容和非固体电解质的钽电容。其中，固体钽电解电容器用量大，如CA型、CA42型等。钽电解电容器的外壳上都有CA标记，但在电路中的符与其它电解电容器符却是一样的。 铝电解电容器CL型特点：体积小、寿命长、℃小时，宽温度、高可靠性。 使用温度范围：-55℃至+℃ 额定电压：6.3-DC -DC 标称电容量范围：0.1-UF 标称电容量允许偏差：±20%（25℃，HZ） 损耗正切值：容量大于UF者，每增加UF，其损耗正切值增加0.02 温度特性：容量大于UF者，每增加UF，阻抗比增加1 耐久性：+℃加带纹波电流的额定电压小时，恢复16小时后：（（≤Φ8：HR） 电容量变化率：±20%初始测量值以内 漏电流：≤初始规定值 损耗角正切值：≤%初始规定值

5，贴片电阻电容二三极管钽电容IC电感该如何计提贴片损耗

这个如果常操作的话，都有标准的吧， http://www.hqew.com/tech/这里是IC和电容的一些技术资料，你按型号搜索就能对应到详细资料，不过大多是PDF文档，你看下有没用。
一般3%,职业加工贴片厂,都以这为标准.实际上都在2%左右,这当然跟实际的操作和机器有密切的关系.操作的话就见人见智了,机器就没办法咯

6，军用钽电容介质一般有哪些那个性能好 CG与COG是否一致2R1和X7R又

1.钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。在钽电容器工作过程中，具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能，使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力，而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能，保证了其长寿命和可靠性的优势。但这种钽电容有个最大的缺点，就是抗过流（指纹波电流）能力很弱，非常容易爆炸，所以设计时千万别放在电源的入口。2. 这几年新推出了一种聚合物钽电容，这种钽电容抗过流能力强，而且不会爆炸。基美和AVX都有生产，但因为价格成本原因目前用户并不太多。3. 军用钽电容的结构工艺和生产工艺是一样的，只是在军用设备里对温度要求抗震要求比较高，所以军用设备里电解电容的用量相对少一些，而且军用设备很少考虑设计成本，所以有的军用设备就大量地使用钽电容来代替铝电解电容,这样对电容量要求就比较大，对耐压要求也高，前两天刚跟一个生产钽电容的厂家一起讨论钽电容的一些问题，从中了解到他们在给海南一个军工企业供应钽电容，电容的材料没有太大区别，具体技术他们没有透露，只是容量、耐压、外形都很大，有680UF/35V，470UF/35V,这种电容市场上是没有卖的。4.我了解到的C0G属于CG组里的一种， 属1类陶瓷介质，也就是说C0G（注意是数字0不是字母O)是陶瓷电容的一种，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG温度特性： 0±30ppm/℃损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻： ≥10GΩ抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：≤50毫安5.X7R属于EIA标准里的二类陶瓷电容，其相同体积下，X7R的容量做的比C0G大很多，C0G只能做小容量的，一般常见的就1000P以下，X7R容量今年应该可以做到102-22UF,我们有在使用，2R1应该是没有的，现在新出的还有X8R,无论是C0G、X7R、Y5V ，都只是用于制作陶瓷电容的材质特性，详细如下表：6.各种电容的特性对比请参考下表：分别是陶瓷电容、固态电容、钽电容、铝电解电容的对比（不知道如何插入多张图片，如有需要请提供邮箱地址，我给您发过去）

7，怎么测量电容介质损耗

电容损耗包括：介质损耗，金属部分损耗。介质损耗是介质在电场下的极化过程使分子间碰撞而消耗的能量，从而产生损耗，在实际中，等效电阻是造成电容损耗的主要原因，介质损耗通常被忽略！ 通常用损耗角正切值来表示有功损耗与无功损耗之比即为损耗因数tgδ，或以串联等效电阻ESR同容抗1/WC之比。 我们可以用LCR测试仪去测量，铝电解设置频率120HZ，金膜电容设置1KHZ，去测量！
交流电容还是直流电容，交流电容接在交流电中，其有功功率就是其介质损耗，介耗产的是温升，介耗过大温度过高，电容就寿命终结了

8，电容器的损耗具体是怎么解释的

电容器的损耗的包含以下几个方面：1、电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。2、在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
电容器是一种易耗品，电压谐波对电容器的影响非常大，会造成电容器衰减。 一般的衰减率是是指正常情况下电容器容量的损耗，国产的衰减比较大，进口的 现在一般年衰减率都是小于1％。

9，CBB电容和CL电容的损耗怎么对比

CL，涤纶电容器，又称聚酯薄膜电容器。tanδ（3～7）×10^（-3）。电容量可从100pf到几百μf；工作电压从几十伏到上万伏。绝缘电阻高，耐热性好。具有自愈性和无感特性。缺点是损耗tanδ大，电参数稳定性差。CCB，聚丙烯电容器。tanδ（1～10）×10^（-4）（比CL低一个数量级）。具有优良的高频绝缘性能，电容量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。耐温高，吸收系数小。（数据引自《通用电子元器件的选用与检测》）
电容cbb 和cl 怎么区分？ cbb是聚苯乙烯电容。工作频率较高。 cl是涤纶电容。工作频率较低。 但肉眼无法有效分辨。只能凭产品说明和器件上的标志区分。

10，钽电容器636是多大容量

电解电容器的介质材料是一层附在金属极板上的氧化膜。有极性的电解电容器。正极为粘有氧化膜的金属极板，负极通过金属极板与电解质（固体或非固体）相连接。无极性（双极性）电解电容器采用双氧化膜结构，类似于两只有极性电解电容器将两个负极相连接后构成，其两个个电极分别与两个金属极板（均粘有氧化膜）相连，两组氧化膜中间为电解质。 陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。 钽电解电容器有无极性钽电解电容器和有极性钽电解电容器之分。有极性钽电解电容器的阳极（正极）材料采用金属钽材料，与铝电解电容器相比，其介质损耗小，频率特性好，耐高温，漏电流小，但生产成本高，耐压值低，广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上种中、低频电路和时间常数设置电路中。 陶瓷电容器可用于高频旁路、高频耦合、调谐或者用作小型电容。 电解电容器可以用于低频旁路，电源滤波、去耦合等，它的特点是体积小、容量大，损耗和漏电也大。 钽电容器是用于在要求高的电路中代替铝电解电容，主要特点是损耗和漏电相对较小。
一般是这样表示的104=10x10 4次方 pf=0.1μF105=10x10 5次方 =1μF106=10x10 6次方 =10μF以此类推636应该是63μF，但这个不是钽电容的常规容量，是不是686一般常规容量：0.1,0.22,0.33,0.47,0.68,1,2.2,3.3,4.7,6.8等等

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