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1，这手机型号是多少 欧博信的

Wi-9

这手机型号是多少 欧博信的

2，华为畅享9s怎么样

3C数码 00:00 / 00:1270% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

华为畅享9s怎么样

3，72306303i6700s参数对比

http://product.zol.com.cn/products/product_comp_new.php?subcatid=57&manuid=297&pro_id2=232059&ids=223259,223266,232059 具体参数请见这个网站

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4，oppo9s手机参数

R9s的摄像头像素：前置1600万、后置1600万 ；光圈：前置光圈f/2.0、后置光圈f/1.7。R9s的外观尺寸：R9s手机长度约153mm、宽度约74.3mm、厚度约6.58mm、重量约145g。R9s的CPU介绍：R9s搭载MSM8953八核2.0GHz处理器。

5，c5299参数是多少

一般的29寸开关管 2SC5299 制作材料： Si-NPN 性质： MONITOR，行输出 （HA） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 1500V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 70W Vcbo=1500V,Vceo=800V,Ic=10A,Icp=25A,Tf=0.1us.

6，请问P75NF75IRF510 IRF3205 IRF150 IRF450场效应管的功率是多少

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P 　FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 　FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P　FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P 　FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0.Ω/TO3P 　FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P 　FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P 　FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P 　FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 　MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P 　ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60BRHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 　FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540NFQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 　IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P 　IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC） 单IGBT/MOSFETFET驱动IC 　 　RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220 　RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220 　RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT 　FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 　HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 　HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247　FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35WFQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75WFQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W 　FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220

7，谁有SEBS 662309S的外观颜色是什么SEBS 662309S物性参数已

SEBS/662309S/欧洲VTCTPE生产企业：欧洲VTCTPE一：原料描述部分规格级别耐候,抗紫外线其它注塑,挤出外观颜色黑色该料用途备注说明抗紫外线性能良好、可回收材料、可加工性良好、良好的着色性、耐臭氧性能、耐化学性良好、耐气候影响性能良好、食品接触的合规性二：加工条件我来完善加工条件三：原料技术数据参与纠错性能项目试验条件[状态]测试方法测试数据数据单位物理性能比重ASTMD-7921.05g/cm3收缩率流动0.80-2.0%机械性能硬度计硬度支撑A，4.00mmASTMD-224030拉伸模量100%正割ASTMD-6381.00MPa300%正割2.00抗张强度ASTMD-6383.00MPa断裂伸长率ASTMD-638600%撕裂强度ASTMD-62414.0kN/m热性能ServiceTemperature-50到125℃注射螺筒后部温度180到210℃螺筒中部温度螺筒前部温度模具温度30.0到60.0℃挤出第1气缸区温度150到210℃第2气缸区温度第3气缸区温度第4气缸区温度第5气缸区温度

8，这车是哪款车这车多少钱

悍马H2的加长改装版，市面售价一般在两百多万到三百万左右
排量4.8L车款 2009款 卡宴 S Transsyberia 参数 报价 160.30万 暂无 排量4.8L车款 2008款 卡宴 Turbo S 参数 报价 244.90万 暂无 2007款 卡宴 Turbo 4.8T 参数 报价 199.80万 暂无 2008款 卡宴 GTS 4.8 参数 报价 178.80万 暂无 2007款 卡宴 S 4.8 参数 报价 146.00万 暂无 排量3.6L车款 2007款 卡宴 3.6 参数 报价 88.80万 160.30万-160.30万 排量3.2L车款 2006款 卡宴 3.2 MT 参数 报价 79.00万 暂无 2006款 卡宴 3.2 AT 参数 报价 79.00万 暂无 排量4.5L车款 2006款 卡宴 S 4.5 MT 参数 报价 102.00万 暂无 2006款 卡宴 Turbo S 4.5 参数 报价 169.80万 暂无 2006款 卡宴 Turbo 4.5 参数 报价 149.00万 暂无 2006款 卡宴 S 4.5 AT 参数 报价 102.00万 暂无

9，惠普TPNC125的简介参数

惠普没有你说的这个型号，跟你说的能配得上的惠普有两款！惠普PAVILION 14-AL125TX上市时间 2016年屏幕 14英寸分辨率 1920x1080CPU型号 Intel 酷睿i5 7200U核心/线程数 双核心/四线程CPU主频 2.5GHz显卡类型 性能级独立显卡显卡芯片 NVIDIA GeForce 940MX显存容量 2GB内存容量 8GB（8GB×1）电池类型 3芯锂电池惠普Compaq Presario V3183TU(RQ125PA)上市时间 2007年屏幕 14.1英寸分辨率 暂无数据CPU型号 Intel 酷睿2双核 T5200(1.6GHz)暂无数据CPU主频 1.6GHz显卡类型 集成显卡显卡芯片 Intel GMA950显存容量 动态共享内存内存容量 1GB电池类型 锂电池其他的你可以自己再详细查一下！希望回答对你有用，采纳一下！
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10，cmos参数是多少

想让你的电脑能高速运行， 除了合理的安装硬件和软件外，另外就是要在CMOS里正确的设置各项参数了。 下面介绍的是最常见的CMOS参数的含义及调整方法法如下： 　　1．病毒报警开关 Virus Warning 　　预设置 Disabled 关闭 　　建议值 Enabled 打开 　　当试图改变系统时报警 该开关将占用 1KB 的基本内存 打开该开关后 系统的基本内存将减少 1KB 2．设定是否使用 CPU 内部的 Cache RAM(CPU Internal Cache) 　　预设置 Enabled 建议值 Enabled 现在 CPU 均有快速内存 充分利用它以加快程序存取的速度 3．设定是否使用外部 Cache (SRAM)(External Cache) 　　预设置 Enabled 　　建议值 Enabled 　　使主板上的 Cache 充分发挥作用可提高运行速度 　　4．设定是否进行快速自检 Quick Power On Self Test 　　预设置 Enabled 　　建议值 Enabled 　　5．设定开机优先顺序 Boot Sequence 　　预设置 A C CDROM 　　建议值 C A CDROM 　　有硬盘 最好设定为 C A CDROM 先由硬盘引导开机较快 要是由硬盘开机失败再改为 A C CDROM 先由软盘引导 字串4 　　6．设定是否交换软驱 Swap Floppy Drive 　　预设置 Disabled 　　建议值 Disabled 　　对于有两个软驱的用户 可通过改变该开关的值快速改变 A B 盘标志 　　7．设定开机时是否检测软驱 Boot Up Floppy Seek 　　预设置 Enabled 　　建议值 Disabled 　　开机时点亮 A B 软驱的灯和转动软驱马达 但什么事情都不做 只会白白浪费开机时间并且它对是否可用软盘引导安全无关 　　8．设定开机时右边小键盘状态 Boot Up Numlock Status 　　预设置 On 　　建议置 On 　　一般来说 PC 启动后其 Numlock 皆自动设为开启 灯是亮的 状态 若希望启动后设成关闭 可将其调成 Off 　　9．设定开机时系统速度 Boot Up System Speed 　　预设置 Normal 　　建议值 High 　　该选项取代原来的 跳过 IMB 以上的存储测试 Above 1MB Memory Test 忽略 1MB 　　以上地址的存储器测试 以节省时间 否则 所有的 DRAM 皆一一测试 　　10．设定硬盘类型为 47 时 开机时参数存放的位置 hard Disk Type 47 RAM Area 　　预设置 0 300 　　建议值 0 300BIOS 　　将硬盘 Type47 设计成 使用者自行输入规格 而输入的参数通常是放在 0 300 地址处 在安装 Nove11 Netware 软件时 则必须设置为 DOS1KB 选用此选项 系统的基本内存将减少 1KB 字串8 　　11．设定硬盘接口类型 IDE HDD Block Mode 　　预设置 Enabled 　　建议值 Enabled 　　设置硬盘接口类型为 IDE 型接口 　　12．设定存储器奇偶校验 Memory Parity Error Check 　　预设置 Enabled 　　建议置 Disabled 　　检查有无 奇偶校验 错误发生 　　13．设定键盘的反应及重复率 Typematic Rate 　　预设置 Fast 　　建议值 Fast 　　14．设定什么情况下输入密码 Security Option 　　预设置 Disabled 　　建议值 Disabled 　　Always 每次开机均必须输入密码 否则无法开机 　　Setup 如果要进入BIOS 才需输入密码 可避免微机的设置被人乱改 　　Disabled 不设置密码　输入密码时严格区分大小写字母 如果不慎遗忘密码 可使用万能密钥 AMI 芯片组使用 AMI 旧 Award 芯片组使用 Award 新 Award 芯片组使用 Syxz 　　15．设定主板 BIOS 影射 System Bios Shadow 　　预设置 Enabled 　　建议值 Enabled 　　充分利用主板上的 BIOS ROM 打开此开关可大大提高 I/0 速度

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