负温度系数热敏电阻一般阻值是多少，保护IGBT温度的透过散热片传至紧贴其上的负温度系数热敏电阻TH
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-19 02:20:26
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1，保护IGBT温度的透过散热片传至紧贴其上的负温度系数热敏电阻TH
2，电磁炉加热盘中间的热敏电阻多大是正温度系数的还是负温
正温度系数热敏电阻（ptc）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻（ntc）在温度越高时电阻值越低。电磁炉一般使用负温度系数的热敏电阻。因此你可以在通电一段时间以后，断电测量电阻。具体的电磁炉中热敏电阻的好坏，它的使用手册上或许会有它在工作时的阻值，你可以查询一下。
3，负温度系数NTC热敏电阻值是什么吗
所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
4，NTC负温度系数热敏电阻主要参数有哪些
NTC负温度系数热敏电阻主要参数：零功率电阻值RT（Ω）。RT指在规定温度T时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。电阻值和温度变化的关系式为：RT=RNexpB(1/T–1/TN)、RT：在温度T（K）时的NTC热敏电阻阻值。、RN：在额定温度TN（K）时的NTC热敏电阻阻值。、T：规定温度（K）。、B：NTC热敏电阻的材料常数，又叫热敏指数。、exp：以自然数e为底的指数（e=2.71828…）。该关系式是经验公式，只在额定温度TN或额定电阻阻值RN的有限范围内才具有一定的准确度，因为材料常数B本身也是温度T的函数。额定零功率电阻值R25（Ω）根据国标规定，额定零功率电阻值是NTC热敏电阻在基准温度25℃时测得的电阻值R25，这个电阻值就是NTC热敏电阻的标称电阻值。通常所说NTC热敏电阻多少阻值，亦指该值。对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间。如您有技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解答，智旭JEC专业制造安规电容，陶瓷电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在JEC。
5，负温度系数热敏电阻工作温度范围最大是多少
一般来说，陶瓷基体的热敏电阻的工作温度为-40℃-125℃，但是一些贵金属或者非晶态合金的热敏电阻的工作温度可达到200℃以上，主要用在高温环境下。常用的温度范围是0~50度，主要用于空调上。在实验室环境有可能标定成-200~0度。还有一些特殊场合，如电磁炉或者烤箱用的ntc，会标定成0~300度或者0~1200度。应该不会有高于1000度的应用了。在300度或者1000度的温度上限附近，ntc的电阻值接近0欧姆。在-200度时，电阻值或高达100k~300k欧姆。
6，电磁炉上使用的热敏电阻一般是多少阻值
电磁炉内的线盘上测温电阻是一个负温度系数热敏电阻，在25摄氏度时阻值为100K，温度越高，阻值会越小。热敏电阻一般用硅胶包裹，在上面涂导热硅脂来使用。可以看看时恒的产品，热敏电阻有很多类型，作为测温使用的一般有玻封型、环氧树脂型、小头径漆包线型等，作为电磁炉的测温元器件，一般采用玻封型外加其他配件构成热敏电阻组件，负温度系数的热敏电阻，也就是时恒NTC热敏电阻，常温下阻值约为100k左右，也有10K、50K等规格，但是100K使用的比较多，误差多在±1%或±2%左右，NTC热敏电阻随着温度升高阻值减小。在实际使用时候，热敏电阻与陶瓷板紧贴，同时在接触处涂导热硅脂，目的为了提高控制灵敏度。 同一台电磁炉上的两个热敏电阻值是一样的。炉面的热敏电阻绝大部分是一样的。一样的才能测出不同地方的温度不一样。用两个以上温度传感器，分别安装在陶瓷板不同的位置，用测量锅具底部不同点的温度，温度传感器与线盘也是用隔热绵进行热隔离的。电磁炉上的温度传感器实际上是将温度的变化转化为电压的变化，温度传感器实际上就是一个负温度系数的热敏电阻，其电阻值会随着其本身的温度升高而下降。现代的电磁炉，绝大多数为这种测温方法，因为这种方法简单，成本低，对于底部平整的锅具，效果与多点测温法差不多，单点测温法是把温度传感器的探头装在一个用隔热材料做的胶座中间，然后再把胶座安装在陶瓷板的正中央，让温度传感器充分与陶瓷板接确，为了加强热传递效果，通常在胶座与陶瓷板之间涂少许硅脂。
7，NTC负温度系数热敏电阻主要参数有哪些
NTC负温度系数热敏电阻主要参数：零功率电阻值RT（Ω）。RT指在规定温度T时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。电阻值和温度变化的关系式为：RT=RNexpB(1/T–1/TN)、RT：在温度T（K）时的NTC热敏电阻阻值。、RN：在额定温度TN（K）时的NTC热敏电阻阻值。、T：规定温度（K）。、B：NTC热敏电阻的材料常数，又叫热敏指数。、exp：以自然数e为底的指数（e=2.71828…）。该关系式是经验公式，只在额定温度TN或额定电阻阻值RN的有限范围内才具有一定的准确度，因为材料常数B本身也是温度T的函数。额定零功率电阻值R25（Ω）根据国标规定，额定零功率电阻值是NTC热敏电阻在基准温度25℃时测得的电阻值R25，这个电阻值就是NTC热敏电阻的标称电阻值。通常所说NTC热敏电阻多少阻值，亦指该值。对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间。如您有技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解答，智旭JEC专业制造安规电容，陶瓷电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在JEC。如果严谨的来说，NTC负温度系数热敏电阻主要参数如下：额定功率最高精度尺寸R25阻值B值精度B25/85值温度检测精度工作温度范围mf54珠状测温型热敏电阻 应用: 电子体温计环氧树脂包封型ntc热敏电阻,具有高精度和快速反应等优点。r=10k b= 3380, 精度1%, 珠状直径 1.5mm 左右本次募投项目产品系新高理电子独立开发，具有完全自主知识产权，具有以下特点： 小型化：医疗电子和移动通信用ntc热敏电阻应用了最新复合封装技术，控制感温头直径小于1mm，可灵活应用于各种微小测温环境中，并保证了可靠性，解决了现有产品轴向封装体积大的弊端。 高精度：在车用传感器方面，项目产品阻值精度达到0.3%；控制电路采用桥式检测电路和滞回模块，实现温度 - 电压的转换；内部同时加入抗干扰设计，驱动电路采用专用驱动电路，以满足汽车脉冲电压及电流的冲击，实现了汽车发动机水温、蒸发器检测温度达到0.1℃的要求。
8，电磁炉中IGBT上的热敏电阻阻值是多少为正常
10K。如果IGBT管的测温热敏电阻坏了，可以根据热敏电阻的型号进行更换，不同厂家使用的热敏电阻不一样，一般有25℃时阻值10K、50K、100K这几种，大多都是NTC负温度系数，玻璃管封装，其中10K地用在IGBT测温中比较多，100K次之，50K最少使用。电磁炉正常工作，IGBT测温电路是必不可少的，它可以实时检测IGBT管的温度，当温度异常升高时，MCU根据测温电路的反馈值来切断PWM输出停止加热，以保护IGBT管不受损坏。 IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。扩展资料一般热敏电阻一旦损坏多表现为玻璃管断裂，有原理图最好，按照原型号更换即可没有原理图，在不知道其阻值大小的情况下，可以先试着更换25℃ 10K的热敏电阻，然后烧水试机，如果烧开一大壶水后不出现异常，就说明更换正确，否则继续更换25℃ 100K阻值的，直至试机正常。而且IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。参考资料来源：搜狗百科—电磁炉参考资料来源：搜狗百科—IGBT电磁炉 负温度电阻ntc(炉面与igbt)是否正常？ 是否有+5v （负温度电阻ntc在常温25℃的情况下应该阻值在46~58k之间，有的电磁炉负温度电阻ntc也用100k。单个负温度电阻ntc在98℃ 开水里 ，它是电阻值是2~3k。这个热敏电阻的阻值不重要。关键在于炉子检测到的锅的情况，本人遇到过配套的铁锅根本不加热的情况，由于购买时间很长没有法子与其销售商理论。这个电阻和炉面那个是一样的100K，实测一般是50-100之间，这个是随温度变化而变化，如果只是6K，那就是坏了，换一个试下。我刚修了一台美的的，测那个只有37K，显E6，换了一个后工作正常。热敏电阻，常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。IGBT热敏电阻：该热敏电阻放在紧贴着IGBT的正面，用导热硅脂涂在它们之间，并压在PCB板上，IGBT产生的温度直接传到了热敏电阻上，热敏电阻与RJ37电阻分压电的变化反映了热敏电阻的阻值变化。直接反映出IGBT的温度变化。常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。热敏电阻一般采用负温度系数（NTC），且每种温度采集方式也都各自有优缺点，温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上，通常采用玻璃封装的插件NTC，NTC装在一个小硅胶壳里面，硅胶壳里再填上导热硅脂。IGBT倒在热敏电阻上面，装配时会受到不同程度的应力，硅胶壳就起缓冲的作用，而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会产生空隙，影响传热效果，所以就需要添加导热硅脂。扩展资料：原理IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。参考资料：搜狗百科-IGBT
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负温度系数热敏电阻一般阻值是多少
