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1，一般的发光二极管耐压是多少 不是问正向压降

一般的发光二极管反向耐压是10－20V之间。

一般的发光二极管耐压是多少 不是问正向压降

2，二极管箱位电压是多少

1.5～3V。通常正向压降值在1.5～3V范围内，发光二极管的反向耐压一般在6V左右。用不同材料制作的发光二极管会发出不同颜色的光，并且有着不同的工作电压范围。比如蓝色和白色3ⅴ～4v、红色1.8ⅴ～2.4ⅴ等。

二极管箱位电压是多少

3，SR240反向击穿二极管的耐压是多少

反向击穿电压为24V
SR240 是 2A 耐压 VR > 40V DO-41 VF > 0.55V 封装的 肖特基 二极管

SR240反向击穿二极管的耐压是多少

4，发光二极管的反向击穿电压是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护.

5，二极管2A07正向耐压和反向耐压是多少正向降压是多少 问

型号 : 2A07 描述 : 2.0A RECTIFIER 封装 : DO-15VRRM , VRWM , VR : 1000VVR(RMS) : 700VVFM : 1.1 V
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

6，一般二极管的耐压是多少

二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数：最大重复峰值反向电压：1000v最大正向平均整流电流：2a正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：70a最大正向电压@ta=25℃：v:1;a:2最大反向电流@vrrmta=25℃：5.0μa最大反向恢复时间：50封装形式：do-15整流二极管代换：整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

7，问 yexrui 一般3mm的发光二极管的反向耐压为多大

任务占坑
通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护.

8，led发光二极管反向耐压

反向最大电压是5v吧，应该是反向电流过大烧的吧。
在电子市场有卖，有各种颜色的，价格从几毛到一块多。
一般按5V估算。
它的规格书上有写的。因为不同厂家生产的，不同类型的都不一样的。

9，请问各位大师二极管1N4001的反向耐压有多高

二极管1N4001反向耐压50V
呵呵，1n4001~1n4007工作电流都是1a。正向压降都是1.1v。 最高反向耐压： 1n4001，50v； 1n4002，100v； 1n4003，200v； 1n4004，400v； 1n4005，600v； 1n4006，800v； 1n4007，1000v。 2cp25工作电流6a，正向压降1v，最高反向耐压500v。

10，一般二极管的耐压是多少

1N5817 20V1N5818 30V1N5819 40V
一般二极管的耐压是多少？这个比较笼统哦，不同型号的二极管相差很大，但可能外观相同。比如：1N4001 50V1N4002 100V1N4003 200V1N4004 400V1N4005 600V1N4006 800V1N4007 1000V这些二极管外观完全相同，但是耐压却从50V到1000V，区别巨大。电子元器件一定要注意型号，否则谬以千里。
这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。
二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数： 最大重复峰值反向电压：1000v 最大正向平均整流电流：2a 正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：70a 最大正向电压@ta=25℃：v:1;a:2 最大反向电流@vrrmta=25℃：5.0μa 最大反向恢复时间：50 封装形式：do-15整流二极管代换： 整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。　　发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。　　二极管特性：　　正向性　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。　　反向性　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。　　击穿　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

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