mos 要留多少余量，开关电源中出现的开关电流MOS管的峰值电流最大漏极电流
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-12 09:25:52
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1，开关电源中出现的开关电流MOS管的峰值电流最大漏极电流
没有上下文不好解析，开关电流说不好，MOS管的峰值电流应该是管子的参数，就是能承受的最大电流，最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西，就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流。建议你买一本书看看 《精通开关电源设计》（王志强等译）当然，用输入电压最低、输出功率最大时的初级峰值电流，再留一些余量。
2，电路mos电流选择多大余量
一般1.5倍。具体电路要具体分析。不同的负载，如阻性还是感性负载，余量是不同的。不同的品牌同样型号的也是有差异的，老外本身做的余量会大一点，TW次之，再其次就是国内。虽然标的电压电流都相同，但区别也很大。
3，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达
大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。
4，高压mos管650v的好还是600v的好
650v相对的耐压从数据上看就比600v的mos管要好。只要你们公司不考虑成本的因素，就大可选择杰瑞特650v的mos管他们好像是从晶圆到mos管成品都有做，希望可以帮到你。望采纳。电压指标只可以高的替代低的，等于就是你不可以在你使用2n60的时候再去选择2n50，如果你选2n65来替代就是一个好的选择。还有一个就是选择mos管的时候最好先测试一下你现在的电压实际测试是多少，因为mos管厂家设计的时候一般都会留有一定的余量。你说的这家公司的产品还不错，650v实际测试可以达到700v，之前我们又跟他们谈过，产品是好的，就是有些比国产的稍贵。
5，开关电源12v输出匝比一般选多少
匝比跟工作频率没什么关系，匝比主要是由反激电压和输出电压决定，如果你MOS选700V耐压的话，反激电压一般是自己决定的但是要考虑到给MOS留余量，V=700-265x1.414-150=175(150V是给MOS留的余量)匝比：N1：N2=175:12=14.5:1我没有生产开关电源的经验，我们现在的产品还是用线性电源的多。这个是需要计算的，不过看看书应该也不难，要求较高，那就要专业。变压器的匝数和变压器工作频率，磁芯大小，输入电压输出电压等有关，你的问题无法回答
6，高压mos管650v是不是可以替代600v的
电压指标只可以高的替代低的，等于就是你不可以在你使用2n60的时候再去选择2n50，如果你选2n65来替代就是一个好的选择。还有一个就是选择mos管的时候最好先测试一下你现在的电压实际测试是多少，因为mos管厂家设计的时候一般都会留有一定的余量。你说的这家公司的产品还不错，650v实际测试可以达到700v，之前我们又跟他们谈过，产品是好的，就是有些比国产的稍贵。答：单纯从电压一个指标来说，当然是可以替代的。还要看看电流温度曲线等等。650v相对的耐压从数据上看就比600v的mos管要好。只要你们公司不考虑成本的因素，就大可选择杰瑞特650v的mos管他们好像是从晶圆到mos管成品都有做，希望可以帮到你。望采纳。
7，驱动电源外行请教留余量问题
对于我一个非电源设计者来讲。留余量，那也是根据一般电源本身消耗的功率来计算余量。举个例子来说，你设计变压器，要计算初级次级等电流以及尖峰电流，你才能知道所用的线径。所以假如你100W功率，你电流5A,如果你线径1mm2，那是够的，如果你说留100W余量，到200W了，那你增大了线径，那就更安全了嘛。再如果你设计MOS参数，留有余量，那更安全了啊。所以我觉得设计留有余量是为了整个线路的安全考虑，跟你实际是否消耗这么多余量的功率无关。一般所说的15%余量或20%余量，也不一定电源本身消耗这么多功率。留余量，主要是MOS，变压器，整流管这几个元件要留。余量肯定是不会超过电源总功率关于余量与转换效率的关系，还是等高手来科普一下没有电源的高手来解释下吗在散热条件，驱动合适的情况下，当然，能把LED用到90%以上，那是最好的。不建议用到100%，这样非常不理智。
8，有谁知道有哪些mos管场效应管200v最小也要150v 300a最
1.概念:场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100000000～1000000000ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(mos)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分n沟道和p沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管,而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型;p沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.场效应管的主要参数 :idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压ugs=0时的漏源电流.up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gm — 跨导.是表示栅源电压ugs — 对漏极电流id的控制能力,即漏极电流id变化量与栅源电压ugs变化量的比值.gm 是衡量场效应管放大能力的重要参数.bvds — 漏源击穿电压.是指栅源电压ugs一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过idsm4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极g:将万用表拨至r×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为n沟道;若两次测得的阻值都很小,则为p沟道.判定源极s、漏极d:在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有n沟道和p沟道两种导电沟道。1、结型场效应管（jfet）（1）结构原理 它的结构及符号见图1。在n型硅棒两端引出漏极d和源极s两个电极，又在硅棒的两侧各做一个p区，形成两个pn结。在p区引出电极并连接起来，称为栅极go这样就构成了n型沟道的场效应管 图1、n沟道结构型场效应管的结构及符号由于pn结中的载流子已经耗尽，故pn基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ed一定时，如果栅极电压越负，pn结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流id就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，id变大，所以用栅极电压eg可以控制漏极电流id的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。（2）特性曲线1）转移特性图2（a）给出了n沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压vgs=0时的漏源电流。用idss表示。vgs变负时，id逐渐减小。id接近于零的栅极电压称为夹断电压，用vp表示，在0≥vgs≥vp的区段内，id与vgs的关系可近似表示为：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨导gm为：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微欧）|式中：△id------漏极电流增量（微安）------△vgs-----栅源电压增量（伏）图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。①可变电阻区（图中i区）在i区里vds比较小，沟通电阻随栅压vgs而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，id随vds近似线性增大，当vgs＜vp时，漏源极间电阻很大（关断）。ip=0；当vgs=0时，漏源极间电阻很小（导通），id=idss。这一特性使场效应管具有开关作用。②恒流区（区中ii区）当漏极电压vds继续增大到vds＞|vp|时，漏极电流，ip达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的vgs漏极特性曲线近似平行线，即id与vgs成线性关系，故又称线性放大区。③击穿区（图中ⅲ区）如果vds继续增加，以至超过了pn结所能承受的电压而被击穿，漏极电流id突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏。2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称mos场效应管。（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块p型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的n型区，作为源极s和漏极d。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极g（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。图3、n沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的n区接通，形成了导电沟道，即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。（2）特性曲线1）转移特性（栅压----漏流特性）图4（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中vp为夹断电压（栅源截止电压）；idss为饱和漏电流。图4（b）给出了n沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中vr为开启电压，当栅极电压超过vt时，漏极电流才开始显著增加。2）漏极特性（输出特性）图5（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。图5(b)为n沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。 图4、n沟道mos场效管的转移特性曲线图5、n沟道mos场效应管的输出特性曲线此外还有n衬底p沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管的主要参数 1、夹断电压vp当vds为某一固定数值，使ids等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压vgs就是夹断电压vp。2、饱和漏电流idss在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于vp时的漏极电流称为idss。3、击穿电压bvds表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的vds。4、直流输入电阻rgs在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的rgs可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的rgs可超过10000000000000欧。5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm= △id/△vgs它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）来表示
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