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1,求设计一个放大电路现在需要频率范围在1M10M左右的MOS管或

用9018吧 这是高频三极管
搜一下:求设计一个放大电路,现在需要频率范围在1M-10M左右的MOS管或者NPN三极管,求推荐

求设计一个放大电路现在需要频率范围在1M10M左右的MOS管或

2,mos管开关频率一般多大

理论上可以达到几十MHz或以上,原来的模拟示波器输入端就用MOS管,这样输入阻抗高,有500MHz的;常见的开关电源中,其工作频率一般情况下不超百kHz,大部分是几十kHz,这主要是对周边器件要求高…具体参数可以根据型号在百度或其他专业网站查询。

mos管开关频率一般多大

3,单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

你磁芯材料,这个频率太低,损耗太大了,你试试频率升高到20K以上,MOS管可以上50K以上的,单端电路占空比可以用80%,推挽可以2*40%
支持一下感觉挺不错的

单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

4,GTO GTR IGBT MOSFET 频率范围分别为多少

GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大,已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<GTR<IGBT<MOSFET另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级,所以说这是个折衷考虑的结果。

5,固态继电器开关频率最大能到多少

确实是跟固态继电器的品牌和型号有关。估计最高可以达到几十千赫兹(只要控制器能提供这么高的控制信号)。一般的话几千赫兹应该没问题,控制直流可以用开关功率三极管或MOS管,加上光耦这样的话频率能到几百千赫兹。

6,MOS管逆变直流焊机的工作频率是多少

逆变电焊机主要是逆变器产生的逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器。是将工频(50Hz)交流电,先经整流器整流和滤波变成直流,再通过大功率开关电子元件(晶闸管SCR、晶体管GTR、场效应管MOSFET或IGBT),逆变成几kHz~几十kHz的中频交流电,同时经变压器降至适合于焊接的21-28V电压,再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。其变换顺序可简单地表示为:工频交流(经整流滤波)直流(经逆变)中频交流(降压、整流、滤波)直流。 即为:ACDCACDC 。因为逆变降压后的交流电,由于其频率高,则感抗大,在焊接回路中有功功率就会大大降低。 所以需再次进行整流。这就是目前所常用的逆变电焊机的机制。

7,请问一下各位电子高手8N60的MOS管它的范围能做到多大功率的电源

看什么拓扑了,反激电路100W左右吧,正激200W以下,半桥可以做300W,全桥可以500-600W,和变压器以及做的人、输入电压=====有关。
一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

8,IRF4PC50UD场效应管最大支持可以多少KHz50UD 搜

这个问题不能直接回答,每个场效应管都有开通总电荷Qg参数,开通频率取决于驱动栅级的驱动能力,例如,驱动能力为1A的驱动器,去驱动Qg=100nc的场效应管,则开通时间需要100ns,因此,你的提问需要根据你的MOS管驱动器和MOS管参数计算才能知道
同问。。。

9,开关电源MOS管的问题

MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是MOS管本身的问题。要想驱动波形没有台阶,几乎是不可能的。求采纳为满意回答。
mos管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率mos管作为开关管,之所以采用mos管是基于以下几方面的优势:1.输入阻抗高。输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟。使用mos管做开关管,其输入阻抗高达100mω,这对激励信号不会产生压降,只要有一点电压就可驱动。2.开关速度快。开关速度在10~100ns,工作频率高达100khz以上。普通三极管由于载流子的存储效应,其开关总会存在滞后现象,进而影响开关速度。3.不存在二次击穿。

10,W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗他的频率是多少

电阻调节电路工作点电感滤波,调节谐振频率三极管可以放大电压三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

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