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1，请教一个关于STM32F207的Flash等待周期的问题

SRAM，静态的随机存取存储器简单说就是内存。
内部的操作flash时内核是挂起的，没有响应，当然感觉慢了

请教一个关于STM32F207的Flash等待周期的问题

2，stm32中flash写入时间有多长

写入比较快16us每个字节，擦除时间非常长，大概擦除16K需要200ms

stm32中flash写入时间有多长

3，stm32还有几年过时

我搞了10多年的单片机了，我认为STM32在15年内都不会过时的，你看看51单片机的经历就知道了
不会stm32的人会继续用51，还有部分51毕竟是比arm便宜点。
暂时还没有日期，正值壮年

stm32还有几年过时

4，单片机STM32或同类产品的工作寿命是多少小时呢

扩展一个串行FLASH 或 EEPROM，每次变化直接存储，每个存储带1个ID码；不知道你是一个单片机控制1、2个灯，还是1个单片机控制整个家里所有灯；理论计算： 按照严格的1控多设计，除非家里灯多，普通家庭按照每天开关100次算，1年36500次，如果用EEPROM（1000000次寿命），可以用20多年；如果用FLASH由于容量大，可以采用循环存储弥补寿命低的不足。 每次开机根据ID码确认那个是最后的状态。我以前设计的产品就是用的FLASH，循环存储，便宜（最早用的是带电池的SRAM，成本高，容量小，国标改后要求存储内容增加了很多，用铁电或带电池的成本太高）。你的产品是家用，FLASH坏的几率不大，偶尔碰到估计不会影响使用；如果不接受，也可以软件做校验，除了错的区域做标志。

5，stm32f105rbt6与stm32f105rct6有什么不一样

stm32f105rbt6 的 Flash 存储是 128KB。stm32f105rct6 的 Flash 存储是 256KB。其它都一样。
最大差别：rb是128k flash， 20k ramrc是256k flash， 48k ramrc比rb还多几个功能模块

6，stm32的flash做什么用

1.STM32的Flash不是NandFlash. NandFlash的位跳转比较厉害，必须加上一定的校验和备份机制才能很好地应用。2.STM32的Flash可以用于存储代码，也可以用于存储数据。一般来说我们会将代码保存在从Flash开始的区域中，余下的部分用来保存数据（你的参数就可以保存在这个部分，该部分的大小取决于Flash的大小和代码占用空间的大小）。3.STM32对Flash的操作必须遵循一定的步骤，可以参看“STM32F10xxx Flash 编程”手册，当然你可以直接调用STM32的库函数来操作。擦除必须以PAGE（页）位单位，写（编程）必须以Word(两字节）为单位，只用时0xFFFF的地方才能被正确地写入。4.读保护和写保护 配置了读保护之后，Flash中的代码和数据无法通过JTAG和RAM中的程序读出，起到了加密的作用。 配置写保护是以页（或多页）为单位的，配置之后无法被擦除或修改，加强了代码的可靠性。 读保护和写保护都是在自己的程序中配置的。你可以在第一次运行程序是配置相关选择字。5.STM32的Flash有读写次数和寿命的限制。

7，STM32F103的Flash能烧写多少次

手册中数据保存期限是指1000次和10,000次闪存擦写后的保存期限。在所有的工作温度范围内经1000次擦写后，在+85摄氏度的保存环境下，STM32的数据保存期限可达业界领先的30年；在所有的工作温度范围内经10,000次擦写后，在+55摄氏度的保存环境下（通常这是汽车工业要求的保存环境），STM32的数据保存期限可惊人地达到20年。
？？？再编译下载结果不一样，没有任何改动？？？如果是这样可能是没有选下载时让系统复位这一选项。或者你下载后按一下复位键s1试试。

8，如何确定stm32芯片的flash够不够用

不够的话，在keil或iar编译下载会报告错误的，具体内存或flash怎么消耗的也可以查看编译的报告文档。一般情况，我都是凭大概经验，现在的mcu flash那么大，能撑饱它的话只能是OS了，你选择os时可以知道需要什么模组，然后查阅一下相关模组的说明书，会有告诉你大小，这种项目规划必须要的，另外，在开发前期，可以选择用比目标型号的mcu性能要高一两个级别，到中期基本可以估算到目标型号能否胜任，然后downgrade到目标mcu做最后完善
我想用stm32内部flash保存一些数据，怕在写入时有冲突，需要查询编译后flash的地址占用情况。以前用周立功的tks软件，有个map文件可以查询，请问keil4如何查询

9，STM32如何读写芯片内部FLASH我要存几个变量

void write_buf(u32 addr,u8 *p,u16 n)u32 r1;n=n/4;//擦除并写flashFLASH_Unlock();//FLASH解锁FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清标志位FLASH_ErasePage(addr);while(n--)r1|=*(p++)<<8;r1|=*(p++)<<16;r1|=*(p++)<<24;FLASH_ProgramWord(addr, r1);addr+=4;} }void read_buf(u32 addr,u8 *p,u16 n) while(n--) *(p++)=*((u8*)addr++); }}

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