场效应管上的压降是多少，电磁炉中场效应管的触发电压是多少伏
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-09-10 01:41:01
1，电磁炉中场效应管的触发电压是多少伏
不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。
2，场效应管导通压降一般多少
场效应管导通压降一般多少，180nm工艺及以下的制程基本都能达到50mV以下了(IDS=1mA)MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。
3，能让整个场效应管工作起来那最低是多少伏有三极管可控硅最低
场效应管的种类很多，不同类工作电压电源极性都不同，以VMOS管为例栅极开启电压在2·5V左右，所以工作电压必须大于这个电压才行
4，场效应管稳压允许压降多少伏
场效应管稳压允许压降10～15伏。场效应管驱动电压在10～15伏，最高电压为15V。稳压管稳压的电路如图a所示，R为限流电阻，现用一只结场型场效应管代替，如图b所示。零栅压工作，由场效应管的输出特性曲线可知，当UDS下降时IDS变化并不多，仍能保证稳压管的工作电流。场效应管稳压能用于串联型稳压电路。用场效应管做调整管的串联稳压电路。12V稳压管作为基准，减去场效应管栅-源电压就是稳压输出。
5，大功率场效应管阀值电压是多少伏
通常为3~10V，不同的大功率场效应管有不同的阀值电压，必须根据相关的技术参数来确定。不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5v，高的5-10v，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。
6，ASEMI场效应管7N60的压降是多少
7N60参数描述型号：7N60封装：TO-220特性：低功耗场效应管电性参数：7A 600V连续二极管正向电流(IS)：7A脉冲二极管正向电流(ISM)：28A漏源电压(VDSS)：600V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.5V漏源击穿电流(IDSS)：1uA反向恢复时间(trr)：648NS工作温度：-55~+150℃引线数量：3 7N60插件封装系列。它的本体长度为16.0mm，加引脚长度为29.5mm，宽度为10.35mm，高度为4.55mm，脚间距为2.54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。
7，目前最NB管子三极管场效管等等 的最底正向导通压降是多少
当然有，你看看2SD1960三极管，外形与9013相同，但Icm达5A，β高达近1000。我用它驱动一个0.8A的灯泡，实测其c-e两极压降仅90mV左右。另外AP系列不少场效应管都在数十mV左右，IRF150场效应管的压降也很小。
8，哪一种三极管或场效应管饱和压降比较低 小功率的
ao3400,N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻<100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。不知如何？哪一种三极管都有饱和压降大的、和小的，只能从中挑选。好像没有专门的那个型号三极管饱和压降小这个指标。
9，哪个场效应管的压降小对电流的影响小
三极管是电流控制器件，饱和时流过的电流越大、如果驱动电流不够、压降就会上升，有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。 场效应管是电压控制器件，导通时流过的电流越大、如果驱动电压不够、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。 IGBT是把它们的优点结合在一起感觉还是找个专业的问问好的 或者到硬之城上面找找有没有这个型号 把资料弄下来慢慢研究研究
10，电动车控制器的场效应管耐压分别是多少v
48v的一般是70v左右，60v的一般在75~85v左右，72v一般在100v一般选用器件的标准是工作电压的2-3倍。如果是48v的电瓶，则应选用100v以上耐压的管子，但场效应管有个特性：相同最大工作电流ic的管子，耐压越高的管子内阻越大。电瓶车控制器一般都采用多只相同的场效应管并联降低内阻就是这个道理，还有就是耐压越高的管子价钱也越贵，相同耐压单只大电流的售价要高于小电流的几倍，并且安装体积（高度）、引脚排列、散热面积也是制造者需要考虑的因素。
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