1,电路图中vdd什么意思

电路图中VDD是指器件的电源端。VDD和VCC是器件的电源端。VDD多半是单极器件的正,VCC是双极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压(接电源);VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压(接地);VEE:E=electron 表示构成物质的基本粒子之一,因带负电,也写作e,通常指负电压供电;VDDH:H=high 表示高压,即高压供电端。扩展资料:电路中的解释:单解:VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier)VSS::地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。详解:在电子电路中,VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压:VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压, D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd !VSS:S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。有些IC 同时有VCC和VDD, 这种器件带有电压转换功能。在“场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚, 这是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称。参考资料:百度百科-VDD

电路图中vdd什么意思

2,VddVdddVcomVddaVddgVeeg

VCC:C=circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压; VDD:D=device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压; VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压. 二、说明 1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点. 2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能. 3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压. 4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源 另外一种解释: Vcc和Vdd是器件的电源端.Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正.下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D.同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样.因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正.如果用PNP结构Vcc就为负了.荐义选用芯片时一定要看清电气参数. Vcc 来源于集电极电源电压,Collector Voltage,一般用于双极型晶体管,PNP 管时为负电源电压,有时也标成 -Vcc,NPN 管时为正电压. Vdd 来源于漏极电源电压,Drain Voltage,用于 MOS 晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用 PMOS 晶体管,所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上. Vss 源极电源电压,在 CMOS 电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地. Vee 发射极电源电压,Emitter Voltage,一般用于 ECL 电路的负电源电压. Vbb 基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路. 电路中的解释: VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管) VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier) VSS::地或电源负极 VEE:负电压供电;场效应管的源极(S) VPP:编程/擦除电压. 在电子电路中,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压: VCC:C=circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压,D=device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd ! VSS:S=series 表示公共连接的意思,也就是负极. 有些IC 同时有VCC和VDD,这种器件带有电压转换功能. 在“场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚,这是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称,你的问题包含3个符号,VCC / VDD /VSS,这显然是电路符号.

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3,VDDVCCVSS的区别

In circuit diagrams and circuit analysis, there are long-standing conventions regarding the naming of voltages, currents, and some components.[3] In the analysis of a bipolar junction transistor, for example in a common emitter configuration, the DC voltage at the collector, emitter, and base (with respect to ground) may be written as VC, VE, and VB, respectively. Resistors associated with these transistor terminals may be designated RC, RE, and RB. In order to create the DC voltages, the furthest voltage, beyond these resistors or other components if present, was often referred to as VCC, VEE, and VBB. In practice VCC and VEE then refer to the plus and minus supply lines respectively in common NPN circuits. Note that VCC would be negative and VEE would be positive in equivalent PNP circuits.Exactly analogous conventions were applied to field-effect transistors with their drain, source and gate terminals.[3] This led to VD and VS being created by supply voltages designated VDD and VSS in the more common circuit configurations. In equivalence to the difference between NPN and PNP bipolars, VDD is positive with regard to VSS in the case of n-channel FETs and MOSFETs and negative for circuits based on p-channel FETs and MOSFETs.

VDDVCCVSS的区别


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