晶闸管开关频率大约多少，什么是开关频率

1，什么是开关频率

开关频率是指晶闸管，可控硅等电子元件，每秒可以完全导通，断开的次数。

什么是开关频率

2，晶闸管的驱动信号一直为1系统的开关频率能做到多大

3KHZIGBT红邦

晶闸管的驱动信号一直为1系统的开关频率能做到多大

3，可控硅的最大频率

高频晶闸管(KG)具有比快速晶闸管更短的开关时间,所以具有良好的高频特性,最高工作频率可达到20kHz,超过特性工作频率电路当然会失效。

可控硅的最大频率

4，KP型号的晶闸管KA型号的晶闸管KK型号的晶闸管各有什么不同啊那些用

KP是普通晶闸管，常用在整流电路；KA是高频晶闸管，开关频率可达2.5K~10K，常用在逆变电路、斩波电路；KK是快速晶闸管，开关频率高于KP系列晶闸管，但低于KA系列，常用在逆变电路中。

5，MOS管可控硅 IGBT 哪种开关频率高

当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

mos管是场效应管，igbt是复合管前管是场效应管，后管是npn关，可控硅是二极管类，mos管高阻输入，igbt是高频大功率输出，可控硅可作交、直流开关，mos管，igbt只用直流

6，sit晶闸管的使用频率是多少

一般是用在整流中，电网中工频是50Hz，而晶闸管可以通过脉冲电压将系统频率做到十几kHz，通过改变晶闸管的导通角进行整流。工程上说的开关电源就是通过PWM直流斩波原理进行变流的器件，所以晶闸管的开关频率就是它进行变流的脉冲频率

7，无功补偿晶闸管的投切频率是多少

呵呵理论上，晶闸管可以以任意频率工作。不过最佳的投切频率是50Hz，也就是说，投切间隔为20mS，这也是电网的工作频率。但是，实际应用中，因测量速度跟不上，加上其他元件的要求，投切的频率往往远远低于50Hz，很慢，或者说投切间隔往往达到秒级，甚至数十秒的很慢的速度。

同意楼上部分意见，首先不知道您的设备应用于什么场合，7%电抗器对3次谐波是没有抑制作用的，也就是说如果系统3次谐波超标，谐波电流将全部流过补偿装置。另外从实际维修运作，遇到这种情况我公司一般采用提高晶闸管的耐压级别和增加晶闸管的功率，当然，晶闸管的质量也有极大影响。再有，晶闸管是发热元件，一般应该有强制通风的散热片，并且散热片的面积要足够大，在晶闸管散热片上加装温度控制开关，开关串联于晶闸管的触发回路，对晶闸管有一定的保护作用。由于晶闸管是半导体器件，过载能力很差，所以，一般晶闸管的耐压和电流应该选择在回路电压/电流的2.5倍以上。

8，复合开关投切的频率要求

用两个555 ，第一个作单稳态，3脚输出高电平持续10s控第二个555的第4脚工作。第二个555作无稳态产生1.2khz。

接触器或继电器对开关的动作频率都有范围要求。通讯继电器可以高频动作，但其开断或导通的电流很小。通断电气的接触器或继电器的允许动作频率要低得多，譬如1000次每小时。因为通断过程，有大电流冲击和燃弧问题，触点需要一定时间来恢复，如果动作过于频繁，可能导致触点烧蚀。复合开关采用的是可控硅与继电器并联的方式，虽然避免了投切大电流，但仍有较大转移电流通过继电器，还有发热问题，所以过于频繁，也会影响到开关触点的寿命。在实际应用中，复合开关的允许动作频率可以高于接触器，但不建议太高，因为开关本身还有寿命次数的限制。频率过高意味着开关寿命年限会缩短。站在系统应用角度，如果不存在类似电焊机这样的瞬时负荷，负荷变化不会很剧烈，也没有必要频繁投切电容器。从实际补偿效果来看，无功补偿主要要跟踪跨度时间较长的无功变化，将这块无功缺额补偿掉。所以我们建议复合开关的动作频率要低于10秒每次，推荐动作间隔大于20秒，这个间隔是指从切除到再次投入的间隔。针对电焊机这样的瞬时负载，推荐采用晶闸管投切的方式，这样更合理。关于无功补偿问题，许继信息期待给您解答

9，型号为E3FDS10C4的光电开关的开关频率

E3F-DS10C4是mS级的光电开关,参数如下:静态功耗:DC<=0.85W AC<=2W 电流4mA-30mA检测物体: 透明/不透明响应时间: DC<=2.5mS(三极管输出) AC<=5mS(可控硅输出) 继电器输出<=30mS输出电流: DC三极管输出：300mA AC可控硅输出：300mA 继电器触点输出3A差动距离：10%以下环境响度：受光面照度：白炽灯3000LX以下，太阳光10000LX以下绝缘电阻：20M以上产地:浙江温州http://cache.baidu.com/c?word=e3f%3B%2D%3Bds10c4&url=http%3A//www%2Eec37%2Ecom/productdetail%2C229482%2Ehtml&b=0&a=91&user=baidu

用一个单片机的i/o口检测传感器的逻辑电平变化

光电开关（e3f-ds10c4）基本参数： 1.电源电压：直流10-30vdc、交流90-250vac 2.检测距离：4mm 3.输出电流：200ma 4.输出模式：npn常开、npn常闭、pnp常开、pnp常闭、二线常开、二线常闭、交流常开、交流常闭。所以你要明确几个问题：1. 你所选的4节干电池能不能满足10-30vdc的要求，如果不能满足，那肯定不能正常工作。2.有没有满足检测距离的要求，据反射体4mm才导通。3.光电开关的输出模式，如果是二线制，把光电开关串联进电路肯定没问题（要注意正负）；如果是三线制的，首先要对光电开关进行供电，再将信号线和共用段串入灯泡的回路。

这是漫反射常开NPN输出型。不同厂家的频率特性不一样，我使用上海超能的在频率25Hz场合没问题，但是抗干扰能力不行，普用的超过15Hz就容易丢失脉冲了。如果你检测的频率比较高，建议选择霍尔传感器，几百Hz没有问题。

10，电焊机lgbt管工作原理

IGBT即双极型绝缘效应管，其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以通过大电流（100A以上），而且由于外封装引脚间距大，爬电距离大，能抵御环境高压的影响，安全可靠。

绝缘栅双极晶体管英文是Insulate-Gate Bipolar Transistor，缩写为IGBT。IGBT是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热、电饭锅等领域。绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。

igbt管属于大功率开关型场效应管的复合管，它不是完全的直流电流输出，而是通过控制电路的控制，使他通过调节脉宽占空比达到大安培有效值的高频脉冲输出，当众多的性能相近(不可能完全相同)的igbt管并联时，就可以输出几十倍的电流，达到预定电流有效值了

电焊机之IGBT系列焊机工作原理　　一、功率开关管的比较　　常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中，晶闸管(可控硅)的开关频率最低约1000次/秒左右，一般不适用于高频工作的开关电路。　　1、效应管的特点：　　场效应管的突出优点在于其极高的开关频率，其每秒钟可开关50万次以上，耐压一般在500V以上，耐温150℃(管芯)，而且导通电阻，管子损耗低，是理想的开关器件，尤其适合在高频电路中作开关器件使用。但是场效应管的工作电流较小，高的约20A低的一般在9A左右，限制了电路中的最大电流，而且由于场效应管的封装形式，使得其引脚的爬电距离(导电体到另一导电体间的表面距离)较小，在环境高压下容易被击穿，使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。　　2、IGBT的特点：　　IGBT即双极型绝缘效应管，符号及等效电路图见图11.1，其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以通过大电流(100A以上)，而且由于外封装引脚间距大，爬电距离大，能抵御环境高压的影响，安全可靠。

igbt主要是起到开关作用，把直流电变成交流电，通过变压器把高电压变成大电流

哦，他这个工作原理大概就是你要一定要让他不会发生短路或者断路的线路情况就可以了。再看看别人怎么说的。

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