1，硅二极管正向导通最小是多少伏

《电子技术基础—模拟部分》上说一般都在0.5~0.7V 之间

硅二极管正向导通最小是多少伏

2，硅桥IN4436S的参数

Leaf leaf = new Leaf("Leaf D"); root.Add(leaf); root.Remove(leaf); root.Display(1); Console.Read(); }
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

硅桥IN4436S的参数

3，一摩尔二氧化硅中有几摩尔硅氧键 一直都搞不清楚 最好画图解释一

4mol
4用百度图片搜索 二氧化硅晶体结构 2mol是不对的，1个氧虽然被两个硅共用，成的键每个硅各得一半，但看清楚一个氧成的是两条键，所以分到一个硅还是一条键，一个硅连四个氧就是四条键
1摩尔二氧化硅中有2摩尔硅氧键从图上看每个Si都连了4个O。而每个O都连了两个Si。也就是每个O都被两个Si分了就剩下0.5,4个O就是 4乘以0.5=2了从化学式也不难看出啊。SiO2

一摩尔二氧化硅中有几摩尔硅氧键 一直都搞不清楚 最好画图解释一

4，硅的密度是多少

硅的原子重28.08 固体密度为2.33g/cm3 液体密度为2.42g/cm3 熔点为1420度沸点为2355度
密度为2.42g/cm3. 参考资料： http://bbs.solar-pv.cn
正常状态下 2.42g/cm3
密度为2.42g/cm3
2330千克/立方米 对的
密度为2.42g/cm3.

5，硅的 液体 固体 密度分别为多少

硅是半金属之一,旧称“矽”。熔点为1420℃，密度为2.34克/厘米3。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。金属硅的性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还强，以二氧化硅或硅酸盐形式存在。最纯的硅矿物是石英或硅石。硅的存在形式以固体为主，液态只是把固态融化。所以融化后的密度还是一样的。
表面张力和密度之间没有必然的联系，常温常压下，固体硅密度大，比较二者比重的简单办法是直接向液体硅中仍下一小块固体硅,若固体硅不下沉则固体硅密度小，反之固体硅密度大。

6，三相硅桥整流后的电压是多少

三相硅桥整流后的电压接近380*根号2约等于538V
单相峰值电压是Um=220*1.4142=311.1, 电压与时间的函数关系是u=Umf(t),三相各相差120度电角度　　电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功，电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。电压的国际单位制为伏特（V，简称伏），常用的单位还有毫伏（mV）、微伏（μV）、千伏（kV）等。此概念与水位高低所造成的“水压”相似。需要指出的是，“电压”一词一般只用于电路当中，“电势差”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。
三相电是三相分别为不同相位角的220V电压组成，整流后的直流电压是310V，也就是220V的根号2倍，（全桥整流）要看楼主三相电的接法（星形或者三角形）和负载（星形或者三角形）才能判断缺少一相时的直流电压，(修正：380V为计算错误，改为：310V）
单相峰值电压是Um=220*1.4142=311.1，电压与时间的函数关系是u=Umf(t)，三相各相差120度电角度其有效电压为U，则在一个周期内以定积分计算的u做的功的总和（ABC三相的总和）等于T*U*U/R。以此可得一方程，解之即的三相电整流后的有效值。我想指出楼上的，220乘根号2也不等于380吧

7，整流硅整流桥参数

KBPC5010 方桥 最大正向电流:50.0A,承受最大反向电压:1000VKBPC50A10M 方桥 最大正向电流:50.0A,承受最大反向电压:1000V M表示生产厂家所用的芯片不同.
下面以小功率全桥为例，介绍用数字万用表二极管档检测鉴别其性能的方法。 一、判别引脚极性 将数字万用表置于二极管档，把黑表笔固定接某一引脚，再用红表笔分别接触其余三个引脚，如果三次显示中两次为0.5～0.7v，一次为1.0～1.3v，则黑表笔所接的引脚则为全桥的直流输出端正极，即图5-21（a）中的c端；两次显示为0.5～0.7v所对应的便是全桥的交流输入端，即图5-21（a）中的a、b两端，另一端则必定是直流输出端负极，即图5-21（a）的d端。如果所得不是上述结果，可将黑表笔改换一个引脚重复以上测试步骤，直至得出正确结果为止。二、判别性能 在上述判别引脚极性的测量中，任意相邻两引脚间（即任何一只二极管）的导通电压应在0.5～0.7v内，四只二极管的导通电压越接近越好，而在反偏测量时，仪表必须显示溢出符号“1”。对于全桥内部某只二极管的短路性故障，可采用如下技巧进行判别：红表笔接d端，黑表笔接c端，应显示1.0～1.3v；测量a、b端两次（交换表笔）均应显示溢出符号“1”。若所测结果与上述范围不符，则表明被测全桥内部必定有短路性故障。三、检测实例 被测件为qsz2a/50v型整流全桥，其内部结构如图5-22所示。使用dt830型数字万用表二极管档，依次测量a、b、c、d之间各二极管的正向压降和反向压降，测量数据见表5-3。鉴于正向压降均在0.521～0.539v范围内，而测反向压降时二极管全部截止，显示溢出符号“1”，证明被测整流桥的质量良好。表5-3 实测qsz2a/50v的正、反向压降 测量值 二极管正向压降（v） 二极管反向压降 a-c 0.521 显示溢出符号“1” d-a 0.539 b-c 0.526 d-b 0.529 上述过程共需要交换红、黑表笔进行八次测量，操作起来较为繁琐。分析图5-22整流全桥的结构可以发现，无论将表笔按照哪种接法测量，a、b之间总会有一只二极管处于截止状态，使a、b间总电阻趋于无穷大，仪表显示溢出符号“1”。而d、c间的正向电压则应等于两只硅二极管压降之和。因此，只要在测量a、b间电压时显示溢出符号“1”，而测量d、c间电压时，读数约为1v左右（实测值为1.039v），即可证明整流桥内部二极管无短路现象。其理由是，如果全桥内部有一只二极管已发生短路故障，那么在测量a、b的正、反向电压时，必定有一次显示0.5v左右。例如假定vd2短路，当红表笔接d、黑表笔接c时，vvd2＝0v，因此vdc＝vd1 ＋vd2 ＝vd1 ＝0.526（v）。需要说明的是，整流二极管属于非线性元件，其正向压降的大小与正向测试电流的大小有关，因此测出来的vdc值并不等于vvd1 ＋vvd2 （或vvd3 ＋vvd4 ）之和。 上述方法也适用于检测半波整流桥。

文章TAG：硅桥出来多少浮出来  多少  硅二极管  
下一篇