硅二极管击穿电压是多少，硅二极管的死去电压是多少V

1，硅二极管的死去电压是多少V

硅二极管的死区电压0.5 V左右

硅二极管的死去电压是多少V

2，二极管正向击穿电压

二极管正向导通电压，锗管0.4V，硅管0.7V。标注耐压值200V的二极管，反向击穿电压≈200V，以此类推

二极管正向击穿电压

3，硅二极管正向电压约为多少

锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

硅二极管正向电压约为多少

4，一个硅二极管反向击穿电压为150伏则其最高反向工作电压为

一般二极管的反向击穿电压叫做反向不重复峰值电压，它一般是反向重复峰值电压的1.2倍，最高反向工作电压一般是反向重复峰值电压的0.7倍。反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为87.5V。

最低就没限制了吧，只要低于50v完全可以，谁会去关心最低呢？超过50v就击穿了，所以反向击穿电压会大于50v

5，一个硅二极管可以产生多少电压降

硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。实测某些2CZ和1N4000系列的硅整流二极管在500mA电流时，其正向压降会接近1V。因此二极管正向电压降的具体数值要根据工作电流和产品手册才能准确确定（另外还随温度变化而变化），但作为估算值，一般说0.7V是没错的，因此我也对楼上的回答点赞。

因为二极管p型区和n型区在接触在一起之后p型区的电子和n型区的空穴会复合，也就是电子舔到了空穴里，这样形成了一个pn结，但是这样也形成了一个电势壁垒，也就是说当电压低于一定程度时不足以克服pn结形成的电势壁垒，不能使二级管导通。

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