1，pmos管随着温度的增加会出现漏电流吗

半导体一般都对温度敏感，所谓的漏电流一般指D、S之间的漏电流，当栅-源电压不变时，温度升高，源-漏间漏电会增加。
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

pmos管随着温度的增加会出现漏电流吗

2，Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

建议把R6改小点。
这个电路就可以实现你的要求。
R6可以不用，这样MOS导通快速
这个三极管可以不用

Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

3，哪个型号的pmos管导通压降比较低求谢谢各位了

IRF9140 Vgs=10V Id=-11A时,导通电阻只有0.2欧.即压降为2.2V.所以Id如果比较小,比如1A,压降就只有0.2V了.还有其他型号,可以参考数据手册:IRF9540,IRF9542等等
我是来看评论的

哪个型号的pmos管导通压降比较低求谢谢各位了

4，关于PMOS栅源电压

你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此
vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。

5，MOS管打开时是否正向和反向都能导通

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。
mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管ds之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。这里有些人可能不清楚的地方是：mos管打开，且ds之间加了反偏电压后，mos处于什么工作状态？就是处于导通，而且基本和打开之后的正偏一样的导通。由于这个特性，比如mos管需要体二极管来进行反偏续流的时候，可以通过一些手段同时把mos管打开，这样做会使导通压降会小很多，达到减少mos管发热量的目的。
1. 所有的MOS都是通过沟道导通而不是PN结导通，沟道等效为电阻，电流是可以双向流动的。只有IGBT里面的NPN结构不会因为栅极的电压而改变其二极管的特性，所以IGBT导通时等效为二极管，二极管是有方向性的。前面答主提到了MOS的反并联二极管，无论栅极是否施加电压，只要Vsd大于二极管的开启电压Vdiode（通常为0.8V或更高），MOS都是可以反向导通电流的。2. 综合以上两点，当NMOS施加了反向电压，即Vds<0，会出现两种导通情况：1， Vgs<Vth，Vsd必须大于Vdiode才会出现反并联二极管导通；2. Vgs>Vth，沟道打开，0<Vsd<Vdiode时，只有沟道导通，电流方向从s到d；Vsd>Vdiode，沟道和反并联二极管同时导通，具体的分流配比需要综合考虑沟道电阻和二极管特性。

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