晶体管偏置电压多少伏，MIC偏置电压多大

1，MIC偏置电压多大

零点几伏到几伏之间，根据不同的型号，偏置电压不对，会影响音质和灵敏度

MIC偏置电压多大

2，固定偏置放大电路如图所示已知50UBEQ07V则晶体管的偏置

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

图？

固定偏置放大电路如图所示已知50UBEQ07V则晶体管的偏置

3，硅管的正向偏置电压是不是只有大于07二极管才导通呢

硅管的正向偏置电压0.7是一个经验取值，其实是有个大概范围的，一般是0.6~0.75V，不同的二极管稍有差异！！答题不易，如有帮助请采纳，谢谢！！

硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。

硅管的正向偏置电压是不是只有大于07二极管才导通呢

4，偏置电压是指什么

直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的PN结应该正偏，集电极-基极之间的PN结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路（可以理解为设置正反偏的电路）。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压，因此，基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。

5，请问这个三极管的偏置电路中输出电压怎么算的

按电路图参数分析，如果A点电压对地=11V，那么可以肯定，这个电压的产生（除了R3外），与此电路没有任何无关。因为经R1R2分压所得的B点电压高于A点电压，以致三极管、二极管都没有起作用；

你要给完整的电路图才行，尤其是变压器是怎么接的

帮你分析一下，A点总电流不能超过220/510＝0.4A（约数，实际还要小一点），假如11V吸入电流增加（约10mA以下）A点电压下降，E极电压下降，B极电流降低，C极电流变小，反过来使E极电流减小，A点总电流基本未变。反之，也能保持A点总电流基本未变，10mA是这样算的：11＝0.7（二极管压降）－0.3（三极管EC压降）－1KX10mA。

你这个电路叫PNP射极输出电路,主要的功能是输出稳定的11伏的电压,输出205MA左右的电流.220v-11v=209v 209v-管压降3v=206v 206v-D1管压降 0.7V≈205V 205v/1K=205MA

6，三极管问题请懂的人指教都说晶体三极管最低启动电压必须大于等

三极管处于放大状态和饱和状态时，发射极的PN结必须处于正向偏置状态。发射结正向偏置电压一般硅管取0.7V，锗管取0.3V，实际大于和偏置电流有关，小信号时可能是0.6(0.2)V，这可以从三极管的输入特性中看出来。如果三极管工作在导通和截止状态，其发射结夫君电压更是低于0.6V，那是因为基极偏置工作在脉冲区域，平均电压肯定下降，比如电视机中的行推动管的基极电压就是小于0.2V的。

在模电中讲三极管的极限参数时，有这样一个参数：u（ebo），定义为，在集电极开路的条件下，发射极与基极间能承受的最大反向电压值。从题中看，这两个管子的这一参数稍有差别：一个是5v，另一个是6v。就是当超过这一电压时，将导致发射结损坏。在同一线路，哪个好些？这要看是什么电路。1、在甲类放大电路中，三极管的发射极是加上了一个正向电压，无论在什么时候发射极上都不会出现反向电压，所以，发射结能承受的反向电压无论是多大，对工作都没有任何影响，这两个管子都能工作得一样好；2、在乙、丙类放大电路中，发射结会受到信号负半周的作用，当输入信号幅度较大时，要考虑发射结能承受的反向电压的大小，这时，当然是那个6v的要好一些；3、在自激振荡电路中，强正反馈也将会使三极管的发射结上得到反向电压，也是6v的好些；4、当三极管工作在开关状态时（这在数字电路中较常见），尤其要求发射结要能承受较高的反向电压，6v的当然好些。

7，什么是晶体管偏置电压如何测量

就是提供一个让三极管导通的直流电压，对于常用的硅管来说，黑表笔接发射极，红表笔接基极，电压0.75伏。锗管相反。电压是0.3左右。

偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn应该反偏、因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，是晶体管工作再放大状态的电路，简称为偏置电路。直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路（可以理解为设置正反偏的电路）。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压，因此，基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。运放的偏置电压，偏置电流运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器, 偏置电流 bias current 就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流. 这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点. 因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围, 而且都是直接耦合的, 不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源. 所以都设计成基极开路的, 由外电路提供电流. 因为第一级偏置电流的数值都很小, ua 到 na 数量级, 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了. 而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度. 或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围. 如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用 j-fet 输入的运放. 因为 j-fet 是电压控制器件, 其输入偏置电流参数是指输入 pn 结的反向漏电流, 数值应在 pa 数量级. 同样是电压控制的还有 mosfet 器件, 可以提供更小的输入漏电流. 另外一个有关的运放参数是输入失调电流 offset current, 是指两个差分输入端偏置电流的误差, 在设计电路中也应考虑. 直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路（可以理解为设置正反偏的电路）。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压，因此，基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 p=ui=cu(du/dt),i=(dq/dt)=c*(du/dt)中的d表示微分，du/dt是表示电压u对时t的微分，可以理解为时间“ 微小”变化时，电压的“微小”的变化量。由于流过电容器的电流与其两端的电压有关。且电容器充放电时，其两端的电压是不断变化的。所以，流过电容器的电流等于单位时间（微小）内电容器两端累积的电荷q的变化量，表示为i=(dq/dt)。而且电容器两端累积的电荷q的变化量又反应了其两端的电压变化量：q=cdu。因此有：i=(dq/dt)=c*(du/dt)。这里用到的d是微分算子，在高等数学中有介绍。未学高等数学时可以不管它，理解为“微小的变化量”就可以了。

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