可控硅下拉电阻多少欧姆,BT691200 1200V可控硅GK间电阻应该是多大
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-04-22 07:55:02
1,BT691200 1200V可控硅GK间电阻应该是多大
20至100欧左右,正反向测量无明显差别,都为正常。
2,56v电上拉10欧电阻输出12v电下拉电阻需要多大的阻值

3,bt138600e可控硅1脚和3脚阻值是22欧姆是好是坏
已经击穿了,可控硅任何两个管脚之间的电阻都很大,不会22欧姆的。
4,100a可控硅得需要多大调整电阻
300到500欧姆。根据查询资料显示可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。100a可控硅得需要调整电阻300到500欧姆。
5,1500A的单向可控硅GK极之间电阻值为多少
500型万用表。X100档,红G黑K,400-1000欧,反之500-1200欧。
6,可控硅限流电阻的参数是怎么确定的电阻R6和R7的电阻大小和功率选择是怎
一、单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 二、双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。 单向可控硅和双向可控硅,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。 1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。 2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。 若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
7,电阻规格33K 14W是什么意思测试可控硅用的
降压电阻,阻值3.3k欧姆(3300欧),功率(发热量14W)3.3K就是3.3千欧,14W是电阻的额定功率再看看别人怎么说的。
8,500A1200V可控硅的阻值应该是多少
可控硅是晶体管,属于非线形元件,没有固定的阻值。良好的可控硅,阴极和阳极正反之间电阻无穷大。阴极和控制极正反之间有十几到几十欧姆的电阻控制极和阳极之间正反向电阻无穷大搜一下:500A/1200V可控硅的阻值应该是多少?
9,问个电气方面问题BT136 600E可控硅 的 阴极和控制极之间的阻值是
g—t1之间的正、反向电阻都很小。在用万用表xl档测任意两脚之间的电阻时,只有在g-t1之间呈现低阻,正、反向电阻仅几十欧,而t2-g、t2-t1之间的正、反向电阻均为无穷大。
10,可控硅的阻值为30欧姆
4楼的“300欧”是笔误吧?只要你的触发电压/门极电阻>可控硅的触发电流门槛值就可以。但通常为了能有效触发,一般要求触发电流大于门槛值二倍以上。即便是同一批次的硅,由于质量离散性的原因,其触发电流门槛值也不一样,通常从80mA-150mA之间。4楼的“300欧”是笔误吧?只要你的触发电压/门极电阻>可控硅的触发电流门槛值就可以。但通常为了能有效触发,一般要求触发电流大于门槛值二倍以上。即便是同一批次的硅,由于质量离散性的原因,其触发电流门槛值也不一样,通常从80mA-150mA之间。
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