1，请教结温的测量

你可以先用传感器测量壳温，然后根据壳材料的热阻计算芯片温度

请教结温的测量

2，芯片资料给出结温是55能在55正常工作吗

这个很好理解-55°就是这颗芯片的工作下限，介于临界之间。一般来讲标称这个温度，应该是可以工作的，但是谁能保证它工作的持续性呢？另外如果是进口大品牌的，会比国产的可靠性要高。
我也不确定，还是看看专业人士怎么说。

芯片资料给出结温是55能在55正常工作吗

3，路灯的led结温要控制在多少度以内

LED的结温，是指LED灯珠的结温，是灯珠已经做好了。做成路灯后，是考虑整灯的散热效果。把路灯整灯时的温度控制在合适的范围内，而此时灯珠引脚上的温度，是好在90度以下。
问下灯珠热阻，再测下灯脚温度，灯脚温度+热阻大于85°就想办法改善散热吧

路灯的led结温要控制在多少度以内

4，请教结温的测试方法

将恒温箱设置温度T1为20°，将LED放置其中30分钟，以20mA的电流驱动，测得其电压为V1。将恒温箱设置温度T2为40°，将LED放置其中30分钟，以20mA的电流驱动，测得其电压为V2。则Rj=（T1-T2)/(V1-V2)…………①算出热阻Rj.则设现环境温度为T0。以350mA驱动，测其瞬间电压为V0。然后以350mA点亮2个小时，测其电压为V。则将其①式。Rj=（T0-T)/(V0-V) T=T0-Rj（V0-V)

5，如何测量LED结温

电子测量方法有两种测量方案，一种是静态方式在通过温度敏感参数检测结温时，加在器件上的热功率不变，这种方式适用于具有热测试芯片或处于工作状态的半导体器件；另一种是动态方式，首先处于温度敏感参数的测量条件阶段，接着将热功率加到被测器件并保持一定时间，处于加热条件阶段，然后再返回测量条件阶段，这种方式则适用于大多数测试情况。在这两种方式中，初始状态和最终状态下的被测量之差和由于施加一定时间的热功率而引起器件温度上升量直接相关。 结温的测量采用的是动态电学测量方法，该方法利用发光二极管PN结的正向压降Vf与PN结的温度成线性关系的特性[5]，见公式(Vf=A+BTo，式中T0为环境温度(测试中即炉温)，A、B为线性拟合系数，B是正向压降随温度变化的系数)。通过测量其在不同温度下的正向压降差来得到发光二极管的结温。测试过程中我们采用了双芯片结构，在测量中PN结既是被测对象，同时也是温度传感器，PN结温度的变化通过温度敏感参数即PN结正向压降的变化输出，这样就简化了测试线路和结构，同时消除了因附加温度传感器而引入的测量误差

6，LED芯片的结温是出厂时确定的吗

结温为：热阻×输入电力+环境温度,因此如果提高接合温度的最大额定值,即使环境温度非常高,也能正常工作。LED基本结构半导体P—N结实验指电流流LED元件P—N结温度升严格意义说P—N结区温度定义LED结温通由于元件芯片均具尺寸我LED芯片温度视结温降低LED结温途径:a、减少LED本身热阻；b、良二散热机构；c、减少LED与二散热机构安装介面间热阻；d、控制额定输入功率;e、降低环境温度工作结温180度!通过以上说法，结温是会变化的。
是的，后期使用与其没有关系
这种说法是不专业、不负责任的，虽然不能说完全不对，但是表述上问题很大，专业人士是不会如此描述的。1.结温的概念：结温是处于电子设备中实际半导体芯片的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。而平时所谓的结温一般是指最高结温，最高结温是芯片正常工作温度的一个极值，可以简单的理解成芯片正常工作时的最高负载温度，会在参数表或数据表中给出。例如，led的技术参数会标明，工作温度：-40℃~150℃，结温160℃。此处的160℃就是最高结温，这个参数的实际意义是正常工作时芯片的温度（结温）应在-40~150℃区间内，但是不要超过160℃（最高结温）。因为超过160度后面临的问题不单单是光衰幅度增加，还存在瞬时烧毁的危险，更不用谈寿命了。2.一般来说，led产品的结温在工作环境符合要求，安装符合标准的情况下是不会出现实际结温超过标注结温的情况的。因为合格的led产品都会备有合适的散热系统及可靠稳定的电流驱动系统，以保证工作温度及结温在正常范围以内，以保证led的正常发光和正常使用寿命。3.光衰问题：led光衰的定义:　led光衰是指led经过一段时间的点亮后,其光强会比原来的光强要低，而低了的部分就是led的光衰。一般led封装厂家做测试是在实验室的条件下(25℃的常温下),以20ma的直流电连续点亮led1000小时来对比其点亮前后的光强。确实温度是影响光衰的主要因素，但不是唯一因素。晶片、底胶、荧光粉等各种材料也会影响led的光衰速度。所以led的光衰速度会随温度升高的提高而升高，但由于存在多种因素的制约所以二者间不是线性关系，所以不可以用百分比来衡量。4.寿命问题：任何设备的寿命变化都不应该用百分比来描述，只有看设备本身质量，和使用者的使用及保养维护。寿命与任何制约因素都没有线性关系的，所谓的使用寿命是通过大量实验而得到的一个保守的时间范围或者说是时间预估，同样不是一个准确的值。因为制约设备寿命的因素太多了，简单举个例子，两盏一样的led灯正常使用，往往是其中一盏先坏掉，而另一盏还在坚挺工作着。5.理论或实验：光衰幅度和使用寿命两项数据都是在实验室的条件下(25℃的常温下)，通过反复的大量实验而获取的平均数值，并非通过线性关系而计算出来的精确数值。所以led 芯片内结温升高10℃，光通量就会衰减1%，led 的寿命就会减少50% ，这种说法是没有理论或实验支持的。综合以上五点，此问题应如此说明：led芯片的工作温度会影响光衰和寿命。在正常工作温度范围内，芯片温度越高光衰幅度越大，寿命也会越短。若工作温度超过最高结温，则有可能造成芯片烧毁。 阅览之后，如有所悟，请采纳。

7，LED结温如何测试

电压法 LED 结温及热阻测试原理近年来,由于功率 型 LED 光效提高和价格下降使 LED 应用于照明领域数量迅猛增 长,从 各种景观照明,户外照明到普通家庭照明,应用日益广泛.LED 应用于照明除了节能外,长 寿命也是其十分重要的优势. 目前由于 LED 热性能原因,LED 及其灯具不能达 到理想的使 用寿命;LED 在工作状态时的结温直接关系到其寿命和光效;热阻则直接影响 LED 在同等 使用条件下 LED 的结温;LED 灯具的导热系统设计是否合理也直接影响灯具 的寿命.因 此功率型 LED 及其灯具的热性能测试 ,对于 LED 的生产和应用研发都有十分 直接的意 义. 以下将简述 LED 及其灯具的主要热性能指标,电压温度系数 K, 结温和热阻的测试原理, 测试设备,测试内容和测试方法,以供 LED 研发,生产和应用企业参考. 一,电压法测量 LED 结温的原理 LED 热性能的测试首先要测试 LED 的结温,即工作状态下 LED 的芯片的温度.关于 LED 芯片温度的测试,理论上有多种方法,如红外光谱法,波长分析法和电压法等等.目前 实际使用的是电压法.1995 年 12 月电子工业联合会/电子工程 设计发展联合会议发布 的> 标准对于电压法测量半导体 结温的原理,方法和要求等都作了详细规范. 电压法测量 LED 结温的主要思想是:特定电流下 LED 的正向压降 Vf 与 LED 芯片 的 温度成线性关系,所以只要测试到两个以上温度点的 Vf 值,就可以确定该 LED 电压与 温 度的关系斜率,即电压温度系数 K 值,单位是 mV/°C .K 值可由公式 K=ㄓ Vf/ㄓ Tj 求得.K 值有了,就可以通过测量实时的 Vf 值,计算出芯片的温度(结温)Tj . 为了减小电 压测量带来的误差,> 标准规定测量系数 K 时,两个温度 点温差应该大于等于 50 度.对 于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求:A,电压法测量结温的基础是特定的测试电 流下的 Vf 测量,而 LED 芯片由于温度变 化带来的电压变化是毫伏级的,所以要求测试仪 器对电压测量的稳定度必须足够高,连续测量的波动幅度应小于 1mV . B,这个测试电流必须足够小,以免在测试过程中引起芯片温度变化;但是太小时会引起 电压测量不稳定,有些 LED 存在匝流体效应会影响 Vf 测试的稳定性,所以要求测试 电流 不小于 IV 曲线的拐点位置的电流值. C,由于测试 LED 结温是在工作条件下进行的,从工作电流(或加热电流)降到测 试电 流的过程必须足够快和稳定,Vf 测试的时间也必须足够短,才能保证测试过程不会引 起结 温下降. 在测量瞬态和稳态条件的结温的基础上, 可以根据下面公式算出 LED 相应的热阻值: Rja=ㄓ T/P= 【Ta Tj 】/P 其中 Ta 是系统内参考点的温度(如基板温度),Tj 是结温,P 是使芯片发热的功率对于 LED 可以认为就是 LED 电功率减去发光功率 . 由于 LED 的封装方式不同,安装使用 情况不同,对热阻的定义有差别,测试时需要相应的支架和夹具配套. SEMI 的标准中定义了 两种热阻值,Rja 和 Rjb ,其中:Rja 是测量在自然对流或强制对流条件下从芯片接面到大 气中的热传导, 情形如图一(a)所示. 图一 Rja 在标准规范的条件下测量,可用于比较不同封装散热的情况. Rjb 是指在自然对流以及风洞环境下由芯片接面传到下方测试板部分热传时所产生 的热阻,可用于由板温去预测结温.见图二 图二 大功率 LED 封装都带基板,绝大部分热从基板通过散热板散发,测量 LED 热阻主要 是指 LED 芯片到基板的热阻.与 Rjc 的情况更加接近.见图三 图三 二,几款测试仪器性能介绍 目前用于 LED 热性能测试的设备是参照 EIA/JESD 51 标准的要求进行设计的.典型 的设备有:Mic ReD 公司的 T3Ster;AnaTech 公司的 Phase10 Thermal Analyzer; TEA 公司的 different TTS systems 等.由于 LED 热性测试的进口设备价格昂贵,使用 复杂,目前国内只有很少的单位配备了进口设备.目前国产设备和进口设备相比,综合技术指 标方面有一定差距,尤其是分析软件方面差距较大.但是由于 LED 芯片体积较大, 测试要 求和集成电路 的测试要求有很大不同,大部指标已经可以完全满足测试要求. 在价格方面国 产设备有很大竞争优势,设计要求也以 LED 测试为主,使用方便,有利 LED 热 性能测试的 广 泛使用. 下表是三 家典 型的进口 设备和国 产设 备(杭州 伏达光 电 技术 有限公司的 JDS200 型 LED 光色电热综合测试系统);以及台湾半导体光电产业协会关于 《LED 热阻 量测标准草案》 要求的几项主要技术参数的对比
直接把测试点放在芯片上，测出来的温度不是结温。 1. 所为结温∶是在芯片中间 P层和N层接合面的温度，这个接合面不是以粘合方法制作，而是强迫力挤入形成，无法接触到； 2. 芯片本身(GaAs)热传导能力有限(和金属比较)； 3. 芯片发光时，以热电偶式量测会有光电效应干扰，以红外线量测有光干扰，所以无法直接量测。所以只有以间接的方法，计算得到。因为芯片上的温度干扰因素无法量化，所以无法采用，只能用LED外侧最接近的金属位置量测，因为热阻系数是固定参数，多测试几种功率，然后以联立方程式计算，可以得到接近的结温。
使用红外温度测试仪

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