R3电阻取多少最好，图中电路工作原理最好说出各电阻取值

1，图中电路工作原理最好说出各电阻取值

好像是一个温控放大电路，左上角的电路是稳压电路，保证基准电压；左下方的模块是一个温控电路，右边是放大器，可以放大温控电压与基准电压的差，这就是输出R2 R4滑变，R3=10K，其余100Ω

电容：实现上电复位（一上电就复位）电阻：限制电流根据单片机的不同，p1口也可能会用上拉电阻上拉电阻一般都用10k，取决于单片机和所需电流还有，图呢？

图中电路工作原理最好说出各电阻取值

2，要串联多大的电阻合适还有限流电阻

限流电阻R=（12-3.2）V/20mA=440欧姆。你可以选430欧姆或者470欧姆、1/4W标称值的电阻。不同的背光需要的串联的电阻值不同插针是的发光二极管电流按照15mA来算

运放的输入阻抗是很高的（大于1m以上），所以你串联多大的电阻（1k-100k）都不会影响实际效果（我想你不会串联1m以上的电阻吧）。这个电阻也就可以算限流电阻了，因为实际上不需要限流，运放的内阻太高了，能输入的电流本身是极小的。

要串联多大的电阻合适还有限流电阻

3，三相之间量的绝缘电阻多少好坏啊老师

那是根据所使用的摇表和电机不同来说的, 比如一般的三相电机用500V的摇表就好了，只要对地和相间达到0.5M就可以使用的。这个数字是说它的最低使用绝缘电阻，当然是越高越好了;电机不同它的绝缘电阻也不同的,比如一般的高压电机它就要求用2500V的摇表去测试.绝缘电阻不得小于 500M。

因为我们说的绝缘电阻是指500v以上电压的绝缘电阻，万用表的电压只有1.5v. 9v等几种，所以不能用万用表的电阻挡测量绝缘电阻的好坏。

三相之间量的绝缘电阻多少好坏啊老师

4，用惠斯通电桥测电阻为什么在测电阻前要粗测 r2r3比例选取原则是什

R=R1R2/R3，假设阻尼电阻确定，那么误差主要来自调节的变阻器，DR=(R1+DR1)R2/R3-R1R2/R3=DR1R2/R3，DR DR1表示两个的误差。有次可见在DR1不能确的前提下，让R2/R3越小，相对误差越小。为了有效吸收整流变压器二次回路的高次谐波成分，防止输出回路发生谐振，有效保护整流变压器，在整流变压器输出端必须设置阻尼电阻。在任何情况下，绝对不允许将整流变压器输出不经阻尼电阻直接与电场相连。电除尘器整流变压器匹配阻尼电阻的参数大小，目前国家还没有统一标准。阻尼电阻的额定功率一定要大于其阻值和二次额定电流平方的乘积，并且要留有一定的安全余量。

5，串联稳压电路应该如何选择合适取样电路电阻阻值

1电位器处于下端时输出为12V。下端的电阻的电压是DW+0·7V。2电位器电压是4V，所以电流是0·4毫安。3电位器处于上端时输出8V。8－DW-0·7V是上端电阻的电压。4电压除电流就是电阻值。

不知你这稳压电阻指的是什么了！？不知是不是指的压敏电阻和保险电阻。这压敏电阻大特性有二种，一种是在过压时它的内阻值极降，把过压部份的能耗给快速消耗了，这种就是并联在电路电源上，常用来作雷电保护用，这种一般叫他为压敏电阻。再一种就是在电流巨增超过它的一定值后内阻可是巨增来起到限止电流再增大而起到保险的作用。这种就是常串在电源线路上，一般叫他为保险电阻。

6，关于选用多大的电阻的问题

使用12VDC，接一个1.8V的LED灯，一定要用一个电阻串联分压，使LED获得1.8V电压才能使其正常工作。在制作之前，你还要了解这个LED的工作电流。1.8V的LED应该是用于做指示灯的发光二极管，工作电流在10-20mA左右。1、计算电阻的压降 12V - 1.8V =10.2V2、计算电阻值因为流过电阻的电流和LED相等，所以取LED的电流15mA。 10.2V / 15mA = 680欧姆3、计算电阻的耐受功率 15mA x 15mA x 680欧姆 = 0.153W（应选用 1/4W电阻）结论：选择一个电阻与LED串联，其参数是680欧姆，1/4W。

首现确定你的采样电压范围，决定你的采样电阻的阻值大小，阻值尽量小一点，以减少上面的损耗。然后由采样电阻上面通过的最大电流决定该采样电阻的功率大小。

7，求人解答关于图中三极管的参数选择j及一切电阻电容的器件选取原则

用触发信号（如单片机的高/低电平即5V/0V）控制工作单元，因为触发信号虽有电压但电流很小，当触发信号电流达不到工作单元（如这里的MT1）的要求时。就需要放大电路放大推动。工作单元的电流越大，需要的放大级数越多，一般用1~3级。对于电流很大（以及电压高、交流、需隔离的电路等）改设计为用1~2级放大电路推动继电器（适合可控硅的也可用可控硅）。继电器再控制工作单元。本电路是一个用触发信号控制电机的电路。工作原理是：Q1对STC信号进行放大，然后再用Q2放大，Q2推动Q3，Q3控制MT1。工作过程是：低电平时（在此低于4.3V），引起电流I0：　5V－Q1的EB－R1－STC。于是Q1导通，引起电流I1：　5V－Q1的EC－R3－Q2的EB－Q3的EB－地。于是Q2导通，引起电流I2：　24V－R5－Q2的CE－Q3的BE－地。于是Q3导通，引起电流I3：　24V－MT1－Q3的CE－地。于是电机工作。元件作用及选取原则：一、R1是I0限流电阻，不让I0过大，保护信源和Q1，太大了Q1的推动不足，最后可能引起Q3不能深度饱和。对于单片机一般用1K~10K。二、R3是I1限流电阻。越大越浪费Q1的输出电压，最后可能引起Q3不能深度饱和。取值依据是Q1Q2Q3的hFE、R4、MT1电流等。本电路宜用几百欧姆。三、R4是Q2基极的下拉电阻，作用是保证Q2、Q3不误导通。越小越浪费Q1的输出电流，造成Q2Q3不能可靠饱和。取值是只要Q2、Q3不误导通越大越好。本电路宜取值几十K。四、R5是I2限流电阻，保护Q3、Q2。太大了会造成Q3不能可靠饱和。取值依据是供电电压、Q3的推动电流等。本电路中，认为几百欧姆为宜。五、Q3的的选择主要考虑电流参数，约是MT1电流5倍为宜。六、Q2宜用中功率管为宜。七、Q1可用小功率管。八、R5消耗功率较大，估计本电路要几W。其它电阻可用小功率如1/8W。九、D2是电机反向电压的释放管。用于保护Q3，用整流管。十、R2、D1、C1，认为没有实际作用，可去掉，不作分析。十一、与R4同理，应该给Q1的E—B并联一个电阻，阻值约百K。这很必要。十二、也许应在Q1或Q2的基极与地之间并接一个0.1uF电容。

此图是24V马达驱动控制电路，24V为马达供电，5v为控制供电。stc为控制信号端，在直流电平高于4.3v时q123均截止,马达不工作，在直流低电平和交流信号输入时，q1 导通，q2q3为达林顿藕合,亦导通,马达工作。图中元件设计合理，且保护齐全，无有不妥之处哇。

此电路是一个马达驱动电路，就此图来说，阻容参数的选择是严重不当，元件参数的选择是根据选用晶体管的放大倍及输出电流来确定的。C1是加速电容，其作用是加速Q2的导通，但因R2过小，在此电路中作用几乎为0。Q1无下偏电阻，容易因感应电压因导致电机振动。R5图中为100欧，当Q2导通时，电流达240mA,功耗较大，最好改到+5V。因每一个元件的选值需要经过较多的计算，在这里不细说了，原则是取晶体管的最差参数，负载有可能出现的最大电流来进行确定。例如，在电机的驱动电路中，Q3的B值一般在30-50。Q2B=100-300，负载电机最大工作电流为2A，那么，此时Q3的基极输入电流应为I/B3，大约为70mA,为使安全起见，Q3的基极电流比计算值大1倍就行了，此时取150mA就行了，如Q2的集电极电压取正5V，那么限流电阻取(5-1.4)/0.15就可以了，加速电容C1的取值需与R2一起计算其加速时间。

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp（或npn）结构。中间的n区（或n区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。电容（或电容量， capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为c，国际单位是法拉（f）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。

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