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1，基极的电位硅三极管刚好饱和时基极电位时多少

饱和与否并不以基极电位界定，放大与饱和状态基极电压可以完全一样，BE间电压对于9011均为0.6~0.7V。必须测量C、E间的电压才能判定。临界饱和电压对于9011约为0.3V，与Ic有关。

基极的电位硅三极管刚好饱和时基极电位时多少

2，模拟电路中的uces一般取多少

Uces的值取决于晶体管的导通程度。一般来说，深度饱和时的电压值为0.3V，浅饱和时为0.7V左右，1V基本上可以认为晶体三极管处于放大状态。当然，这些值也与晶体管的类型有关。饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。三极管的饱和区：当Uce较小时，Ic变化较小，即Ib失去了对Ic的控制能力，三极管处于饱和状态。此时，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态，即：Ube>Uon且Uce < Ube ，βIb > Ic，Uce ≈0.3V。深度饱和时的Uce用Uces表示，三极管深度饱和时Uces很小，一般小功率管的Uces< 0.3V，锗管的Uces< 0.1V，比硅管还要小。以上内容参考：百度百科-临界放大

模拟电路中的uces一般取多少

3，三极管饱和电压Uces如何确定

uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。三极管的主要参数：特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE：电流放大倍数。VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。PCM：最大允许耗散功率。以上内容参考 百度百科-三极管

三极管饱和电压Uces如何确定


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