fpga可以存储多少数据，FPGA芯片内有哪两种存储器资源
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2022-12-18 19:23:48
1，FPGA芯片内有哪两种存储器资源
一般而言，一种是分布式存储器，一种是存储器块。分布式存储器数量大，但是访问速度较慢。存储器块数量较少，但是访问速度快。一般是用存储器块。
2，使用fpga数字下变频需要多大的存储空间
1G。使用fpga数字下变频需要1G的存储空间才能正常运行。FPGA器件属于专用集成电路中的一种半定制电路，是可编程的逻辑列阵，能够有效的解决原有的器件门电路数较少的问题。
3，求科普 FPGA的容量一般有多大
看你要冲几次了，一般把你手机电池的容量乘以你想充电的次数再除以80%就是你需要的移动电源的容量，当然了，肯定不会完全一致，但可以找类似的
4，fpga片上存储ram能存多少
不同系利的器件，一个8bk RM的内存大小不样. 077列的PO件当中个.Bak RM的内存大小088，然后-个Bbok RAM可以被配置成两个独的0的806大小RBM -t8 RAM网样也可以被配遭成21 102 8x4.231 10352*3的双端DRM (804示输人输出数据端口为4，每40个地址，8K大小的地址)。
5，fpga sdram存储速度
看你的位宽了， 一般是16bit， 就是 200M byte/s.以近期的市场来看， DDR3在速度价格方面最好， 轻松达到1G byte/s, 我手头的FPGA板子，内存带宽是7G byte/s
6，spartan6 FPGA的IP核ROM中存放大量数据对FPGA有什么影响
首先SPARTAN6你用多大的容量？FPGA里面的ROM都是假ROM，因为掉电整个FPGA的数据都丢失，所谓的ROM只是仿真一个ROM，只能读不能写的存储器。其次你要存65536个16位的数只能用LUT资源，因为XILINX的LUT资源可以配置为一个16X1的RAM，但是SPARTAN6有没有65536个LUT资源也是个问题，最后即使有这么多LUT资源，你的地址译码器电路也是一个巨大的资源。整个设计肯定不会性能很高。建议你先在ISE里面仿真一下，看看SPRTAN6最大容量可以实现多少个你说的16位数，看看性能可以跑多快。
7，fpga中的寄存器资源多吗是不是所有的内部RAM如m9k块都可以
要看你需要存多大的东西 如果数据很大不建议用reg 可以选择相应大小的RAM来存储要看你需要存多大的东西 如果数据很大不建议用reg 可以选择相应大小的RAM来存储再看看别人怎么说的。不是，RAM好像不能当寄存器用吧，但寄存器好像可以拼出RAM
8，FPGA型号是EP1C3的存储器最大能多大
EP1C3的嵌入式RAM是59,904bit，比楼主的需求4Mbit小了两个数量级，基本可以判断达不到楼主的要求。用FPGA的LE来搭建RAM是很耗资源的，EP1C3的LE本身就比较少，就算全部用来搭建RAM，加上FPGA自带的内嵌RAM，都不可能达到4Mbit的规模。你好！依我看，您的这个设计如果是基于EP1C3肯定是需要EEPROM或者FLASH之类非易失性存储器的。您可以加一个EPCS之类的器件来做。一是用于配置FPGA。二是可以把断电要保存的数据存在这个EPCS器件里三是您换一个内嵌FLASH的FPGA来做，比如XC3SAN系列，MACHXO或者XP系列都可以的。我的回答你还满意吗~~
9，FPGA上有4块DDR3它们之间是独立的吗
冲突是肯定不会的，DDR3有片选信号的，FPGA控制器随时知道在读写哪个DDR3，何来冲突一说？但是对于4块DDR3是不是独立的，这个你必须看板子原理图。因为内存控制器一般是通道的形式挂DDR3的，举个例子，FPGA内部例化2个内存控制器，每个内存控制器可以挂2个DDR3，那么一个内存控制器下挂2片DDR3的线路就叫做一个通道。同一个通道下的2个DDR3是共用一组信号的，电路上是Y型结构。DDR3是外部存储器，FPGA只是提供访问外部存储器的端口和控制器，一定是独立的。你说的读和写是不是对于一个外部DDR3存储器而言呢？对于同一个外部存储器，这当然不是问题，因为存储器肯定是要读和写的。不是对同一个外部存储器，也谈不上冲突，因为对不同的外部存储器读写肯定是通过不同的端口，更不可能有冲突了。冲突是肯定不会的，DDR3有片选信号的，FPGA控制器随时知道在读写哪个DDR3，何来冲突一说？但是对于4块DDR3是不是独立的，这个你必须看板子原理图。查下每一块DDR的位宽和FPGA的位宽能不能对应起来就明白了
10，FPGA 在一个时钟周期可以读取多个RAM数据吗
可以的。处理得好的话可以读很多个。比如你按下面的思路做，可以在一个时钟周期内读2个：假设有一时钟A，你想在A的上升沿到来时读1个，在下降沿到来时再读1个。你设立一个2 bit的变量i，然后你用一个周期远小于A的时钟B来监测A(具体监测方法可以是：当B的上升沿到来时，将i的低位左移一位，使其变为i的高位，然后将A的电平值赋给i的低位)，这样，当A为低电平时，i="00"，当A上升沿到来时，i="01"，当A为高电平时，i="11"，当A下降沿到来时i="10"。然后你就可以在i="01"时从RAM读一个数据，在i="10"时再读一个数据。这样就实现了在A的一个周期内从RAM读了2个数据。至于是否是RAM的地址改变了就可以读出数据，还要看RAM的datasheet，弄清楚它是如何读数如何存数的。 ——Medied.Lee你好！不行的一个周期只能做一个动作。读ram的顺序：1）给地址；2）等待出数据所以说需要两个周期~希望对你有所帮助，望采纳。不行的一个周期只能做一个动作。读ram的顺序：1）给地址；2）等待出数据所以说需要两个周期~DDR RAM,上升沿和下降沿各读一次，不知可行不？
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