一种小D容量逆变电源具有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压电路。推挽式逆变电路的电路结构相对简单,如图所示,按逆变器主电路形式可分为单端逆变器、推挽逆变器、半桥逆变器和全桥逆变器,有三种q型反相器电路,推挽电路,将上升,这些组合构成了单端(正激和反激),推挽,半桥和全桥在主电路的隔离逆变器。

无论是隔离型还是非隔离型,主逆变电路基本上都是由升压电路Buck和降压电路Boost两种不同拓扑形式组成。根据逆变器主开关器件的类型,可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器。根据逆变器主开关器件的类型,可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和IGBT逆变器。

上层电路只需要两个晶闸管,基极驱动电路不需要隔离。驱动电路相对简单,但晶闸管需要承受线路的峰值电压,因此适用于低输入电压,当mos管交替导通时,变压器的电感效应加上DC电源将起作用。同时,变压器中存在磁偏置,抽头接Y正电源,两个功率管由B交替工作,输出为交流电源A,因为O功率晶体管连接在一起。


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