ir高压驱动芯片,电压驱动芯片

使用两种驱动芯片。可移动芯片，我们小组和ir中使用的驱动电路，工作原理是使用两种驱动芯片，它将驱动高压侧和低压侧MOSFET或IGBT所需的大部分功能集成到芯片中，该芯片以高速功率MOSFET和IGBT驱动器为特色，采用美国IR公司推出的高电压浮动驱动集成模块IR，分高端和低端驱动器。

PWM控制芯片，传统MOSFET布线采用多芯片设计，高端。一种是半桥驱动IR，由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平移位器和输入逻辑电路组成。一种是全桥驱动HIP，这也相当于IGBT驱动电路中的稳定输出。提高了系统的可靠性。图片如下:可以看到和之间有一个自举电容，自举电容的耐压大于和地之间的去耦电容。

它具有独立的高端和低端参考输出信号，可以根据自举原理工作或添加浮动电源。Single package design IR公司利用世界一流的封装技术开发了正在申请专利的DirectFET设计，并制造出散热和布线效果优于其他MCM封装的PowIRstage产品，脚SOIC鼻孔。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术。