mos管栅极电压为0,FET有什么特点?

停止，两个mos晶体管的G端电压为0，栅极电流几乎为零，因此栅极功率几乎为0，否则mos晶体管的VGS过高，会损坏晶体管。为了改善MOS管的电特性，特别是耐压和电流，大多数功率MOSFET采用垂直导电结构，也称为v MOSFET（VerticalMOSFET，其具体工作原理为（见下图）:OFF:漏极和源极之间施加正电源，栅极和源极之间的电压为零。

其实是| Ugs |》= | VT |，场效应管开启；如果VT为正，则ugs》= VT；电子管是开着的，否则是关着的；如果VT为负，则为Ugs=栅极电压Ug=。说电网功率宽松为零是正确的，MOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，也可以称为MOS和MOS管。在中文里，它是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种通过场效应控制电流的半导体器件。