mos电压裕量,NMOS管的栅极电压

阈值电压越低，泄漏越大。阈值电压是指mos在导通和截止之间的阈值电压，也称为临界电压，当mos的控制电压超过阈值电压时，mos处于导通状态，当控制电压低于阈值电压时，mos处于截止状态，漏电流是指mos在截止状态下的漏电流，不同的电容器和mos晶体管具有不同的耐受电压，因此额定过压会烧坏。如果加到mos管上的VGS大于规定的最大值，mos管就会损坏。

MOSFET的阈值电压V是当金属栅极下的半导体表面存在强反型时需要增加的栅源电压，从而出现导电沟道。是的，需要G极电压。此时器件处于临界导通状态，器件的栅极电压被定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。MOS晶体管电容的峰值电压频率与特定的MOSFET元件参数和外围电路元件参数有关，频率范围为，

MOS的阈值电压在一个范围内。特定MOS晶体管的阈值电压是固定的。当出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电性很弱。如果你说的是增加到mos管的VGS大于指定的最大值，那么MOS管呢？一般来说，它与耐压有关。比如几十V的耐压一般是，MOS管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。

从Hz到几十m Hz，MOSFET的输入电容主要由器件的栅极电容产生，其具体大小受器件结构的影响。MOS晶体管，当器件从耗尽态变为反型态时，将经历硅表面上的电子浓度等于空穴浓度的状态，赫兹到几十兆赫。nMOS:Vth=，，pMOS:Vth =-1，当器件从耗尽态变为反型态时，内部通常是MOS管，上方通常是MOS管。