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1，B 196三极管的参数是多少呀

锗PNP低频三极管；Pcmw0.5w，Icm(0.5A)，BVcbo-30v
任务占坑

B 196三极管的参数是多少呀

2，三极管的VCC一般为多大

VCC一般是指正电源 三极管的有CE耐压、CB耐压。一般VCC是指CE工作电压 这个电源是根据实际应用电路确定大小。

三极管的VCC一般为多大

3，三极管的内阻大概是多少

你好!三极管内阻指这个(我在图上有标注)，有输入电阻和输出电阻，输入电阻是一个小电阻接在基极，即rbe，输出电阻为rc=(rc//rl)，电容和电感并联，下面我把三极管内部结构画给你看~~

三极管的内阻大概是多少

4，电子技术三极管9012到9015这些三极管的数据是多少

三极管9012 PNP 50V 500mA 600mW 放大倍数30-90 三极管9013 NPN 20V 625mA 500mW 放大倍数40-110 三极管9013 NPN 45V 105mA 450mW 放大倍数240-90 三极管9015 PNP 45V 500mA 450mW 放大倍数60-150

5，什么是三极管的参数

三个参数:1.共发射极电流放大系数 2.级间反向饱和电流 3.极限参数： (1)集电极最大允许电流 (2)集电极最大允许耗散功率 （3)集电极与发射极间的反向击穿电压其中极限参数是选用三极管的重要指标。
三极管的参数是指反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。这里有三极管参数大全http://www.aterlin.com/zh-cn/a/19/2913.html
三极管的主要参数　　1、直流参数　　（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的 Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。　　（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo 大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。　　（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。　　（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： β1=Ic/Ib　　2、交流参数　　（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间，　　如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。　　（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用 α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α）　　（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为： fβ≈（1-α）fα　　（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。　　3、极限参数　　（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显着下降，影响放大质量。　　（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。　　（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称
这是一种高反压（600v）、低放大倍数的npn型硅材料高频大功率管，最大电流4a。常用于电动自行车充电器中。

6，三极管的参数

1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿. (5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc<PCM. PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.
2N3773是大功率NPN硅管，VCBO=160V，VCEO=140V，Pe=150W，hFE=15~60。
2N3773 NPN 12 音频功放开关 160V16A150W

7，三极管的主要参数有

参数很多，但常用的是耐压、最大电流、放大倍数、饱合压降，知道这4种就基本上可以进行各型号的代换了。只有在一些特殊场合才用到其他的比如截止频率，输入输出电容之类的。
1、共射电流放大系数 和β 在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流ic和基极电流ib的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。 当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起ib的变化，相应的也会引起ic的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即 （5-6） 上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。 由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。 2、极间反向饱和电流icbo和iceo （1）集电结反向饱和电流icbo是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的icbo在na（10-9）的量级，通常可忽略。 （2）集电极-发射极反向电流iceo是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流icm 晶体管的集电极电流ic在相当大的范围内β值基本保持不变，但当ic的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的ic即为icm。为了使三极管在放大电路中能正常工作，ic不应超过icm。 （2）集电极最大允许功耗pcm 晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗pcm，即 pcm=icuce （5-7） 功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。 手册上给出的pcm值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。 （3）反向击穿电压ubr（ceo） 反向击穿电压ubr（ceo）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压uce＞ubr（ceo），集电极电流ic将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源ec的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，uce＞ubr（ceo）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压ec应小于1/2 ubr（ceo）。 4、温度对三极管参数的影响 几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。 （1）对β的影响： 三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的ib情况下，集电极电流ic随温度上升而增大。 （2）对反向饱和电流iceo的影响： iceo是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，iceo随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，iceo将增加一倍。由于硅管的iceo很小，所以，温度对硅管iceo的影响不大。 （3）对发射结电压ube的影响： 和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mv。 综上所述，随着温度的上升，β值将增大，ic也将增大，uce将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

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