mos管ds端导通时电阻多少，CMOSMOS管导通电阻
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-04 17:33:37
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1，CMOSMOS管导通电阻
2，双极三极管与MOS管电阻有什么区别
MOS管GS电阻（输入电阻）【几十M～几百M】远大于双极三极管BE电阻【几KOhm】；而导通饱和时DS（输出电阻）【0.1 Ohm】一般又大于双极三极管CE电阻【0.5 Ohm】；导通线性放大时DS与CE相当【几百KOhm】。
3，RU190N08场效应管的DS端等效电阻是多少
4，mos管漏源导通电阻
mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron= 1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
5，MOS管的通态电阻
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2.3.2
6，三极管和mos的导通电阻大小
MOS管和三极管的区别，你真的了解吗?电子哥的日常2022-11-23 07:55四川科技领域爱好者关注MOS管和三极管的区别，很多伙伴都知道，MOS管属于电压驱动，三极管属于电流驱动。今天聊聊MOS管和三极管的具体区别。NPN三极管由2个N型半导体和1个P型半导体组成，而PNP三极管由1个N型半导体和2个P型半导体组成。因此，可以认为三极管由2个PN结组成。我们知道一个二极管中有一个PN结。三极管相当于2个二极管组成。三极管的驱动，可以认为是其中的一个二极管，去控制另外一个二极管。?比如NPN三极管，B极和E极组成一个二极管，C极和E极组成另外一个二极管。通过控制B极和E极间的二极管去控制C极和E极间的二极管。给B极和E极的二极管加上一个电压，有电流通过二极管，二极管就导通，C极和E极间的二极管也跟着导通。当二极管两端的电压拿走后，没有电流，B极和E极间的二极管就关闭，C极和E极间的二极管也跟着关闭。要想三极管打开，B极和E极需要持续一定的电流，三极管相当于小电流去控制大电流。?MOS管控制，不需要电流，只需要在G极加上一个高电平（NMOS管），由于G极和S极之间有个寄生电容，开始充电时有电流，其它时候是没有电流的，只需要在G极和S极之间维持一个电压差，NMOS管就能打开。由于这个寄生电容的原因，当加载在G极的高平消失后，NMOS管仍然能打开一段时间，直到寄生电容上的电荷放完。?MOS管的优点是功耗小，不需要消耗电流。而三极管需要持续的电流，才能维持开关打开的状态，功耗比较大。在高频电路上，MOS管同样有优势，MOS管的截止频率可以高达几Ghz。而且MOS的开启电压也不高，有的MOS管的阈值电压不到1V。?MOS导通后，D极和S极间的电阻也是毫欧级别的，甚至可以做到10毫欧左右。三极管导通后，C极和E极有0.5V左右的压降。比如负载通过的电流为5A时，MOS管的功耗P=5*5*0.01=0.25W，三极管的功耗P=0.5*5=2.5W，因此MOS管省电。三极管优势就是在价格上，有些小功率的三极管价格低至0.1元一个。另外一个优点，它能承受高压大电流。现在电路设计中，很多时候都用MOS管，三极管用的比较少；不过，对功耗不敏感的消费类电子产品，可以用价格更低的三极管
7，MOS管DS间电阻163K怎么回事
1、你看一下MOS工作的时候有没有输入电流，如果有，说明MOS管没有坏；如果没有电流，直接换管子。2、我感觉你最大的原因是G\D\S三者的电压没控制好，也就是MOS管的状态不好，你本来希望它进入的是可变电阻区（相当于三极管的饱和区），现在进入了恒流区（相当于三极管的放大区），电阻自然很大了。
8，CMOSMOS管导通电阻
导通电阻的大小是一种非线性变化，跟GS两端电压有关，如果UGS=UGS(th)时，一般这个电阻大概有几欧到几十欧，当UGS=8~10V时，这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧，非常小。这方面属于半导体物理领域，作为电子工程师需要知道这个特性，但不需要去关心它为什么这样，只要会用就可以了。
9，请教MOS导通电阻
哦，编辑去掉“验证---”了那“请问这个电路能满足吗？”满足傻啊？若是在开关应用的“开”态，Vgs一定不小于Vds基本是个伪命题，建议楼主重温重问实在没有什么必要。导通电阻是温度的函数，按照你的电路，管子发热量相当大(注意电阻的额定功率)，必然温度上升。结果是每次测量结果都不一样。另外，导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件)，厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖)。实际的管子，导通电阻可能比厂家给出的数值小一半。要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流，参考红线标出的两个参数。进入线性后会使测得的稻田电阻误差大吗，MOS导通电阻本来就小，一般都是数十毫Ω，540的小于77毫Ω。
10，MOS管打开时是否正向和反向都能导通
1. 所有的MOS都是通过沟道导通而不是PN结导通，沟道等效为电阻，电流是可以双向流动的。只有IGBT里面的NPN结构不会因为栅极的电压而改变其二极管的特性，所以IGBT导通时等效为二极管，二极管是有方向性的。前面答主提到了MOS的反并联二极管，无论栅极是否施加电压，只要Vsd大于二极管的开启电压Vdiode（通常为0.8V或更高），MOS都是可以反向导通电流的。2. 综合以上两点，当NMOS施加了反向电压，即Vds<0，会出现两种导通情况：1， Vgs<Vth，Vsd必须大于Vdiode才会出现反并联二极管导通；2. Vgs>Vth，沟道打开，0<Vsd<Vdiode时，只有沟道导通，电流方向从s到d；Vsd>Vdiode，沟道和反并联二极管同时导通，具体的分流配比需要综合考虑沟道电阻和二极管特性。是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管ds之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。这里有些人可能不清楚的地方是：mos管打开，且ds之间加了反偏电压后，mos处于什么工作状态？就是处于导通，而且基本和打开之后的正偏一样的导通。由于这个特性，比如mos管需要体二极管来进行反偏续流的时候，可以通过一些手段同时把mos管打开，这样做会使导通压降会小很多，达到减少mos管发热量的目的。
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