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1,单向可控硅是阳极要建立对阴极的正向电压而控制极也要对阴极形

bt134是双向可控硅,不是单向可控硅!
期待看到有用的回答!

单向可控硅是阳极要建立对阴极的正向电压而控制极也要对阴极形

2,ASEMIAO3401场效应管的静态漏源导通电阻是多少

场效应管AO3401参数:型号:AO3401漏源电压(VDS):30V栅源电压(VGS):±12V连续漏极电流(I):4.2A脉冲漏极电流(IDM):30A功耗(PD):1.4W结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃漏源击穿电压(BVDSS):-30V零栅极电压漏极电流(IDSS):-1uA栅体漏电流(IGSS):±100nA静态漏源导通电阻(RDS(ON)):42mΩ正向跨导(gFS):7S二极管正向电压(VSD):0.75V输入电容(Ciss):954pF栅极电阻(Rg):6Ω开启延迟时间(tD(on)):6.3ns二极管反向恢复时间(trr):20.2ns二极管反向恢复电荷(Qrr):11.2nC AO3401特征:AO3401使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V栅极电压的操作AO3401适合用作负载开关或PWM应用

ASEMIAO3401场效应管的静态漏源导通电阻是多少

3,下图电路哪里不对了mos导通后为什么电压只有41V左右我是用

你的电路接错了。你那样接,MOS管处于放大状态而不是开关状态。正确解法如下:按下按键,MOS管截止,断开按键导通。
MOS导通程度不够,驱功电压低了,工作于放大状态.

下图电路哪里不对了mos导通后为什么电压只有41V左右我是用

4,AO3401的基本参数

FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):30VId时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W安装类型:表面贴装英文描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  中文描述:的P -沟道增强型场效应晶体管  AO3401 和 Alpha & Omega Semiconductors 信息 Manufactured by Alpha & Omega Semiconductors, AO3401 is a MOSFET. Alpha and Omega Semiconductor is committed toexcellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies,products and innovative solutions.

5,求助三极管控制问题

1.高电平输入,Q1导通;Q2基极电平为0,Q2导通,LED亮。2.低电平输入,Q1截至;Q2基极电平为高,Q2截至,LED灭。理论上是这样,建议楼主用实物搭建个电路实测下看看是否真的这样。
Q2基极没有限流电阻。要真这么接电路Q1Q2都会烧 q2没有基级限流电阻,Q1的基级没有下拉电阻,即使单片机输出低电平也Q1也有CE漏电流的,也许就几个微安吧,经过Q2放大就会使Q2处于放大状态的

6,ASEMI的AO3401是场效应管吗AO3401和三极管有什么区别

编辑-Z ASEMI的AO3401是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点,AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。AO3401参数 描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性:低功耗场效应管 电性参数:4.2A 30V 持续漏极电流(ID):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 栅极阈值电压(VGS):1.3V 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 工作温度:-55~+150℃ 反向恢复时间(Trr):20.2NS 引线数量:3场效应管AO3401和三极管的区别 1、三极管用电流控制,MOS管AO3401属于电压控制。 2、功耗问题:三极管损耗大。 3、驱动能力:MOS管常用于功率开关和大电流开关电路。 三极管常用于数字电路的开关控制。MOS管AO3401用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流敏感的地方。场效应管AO3401和三极管都可以实现信号的控制和放大,但是由于它们的结构和工作原理完全不同,两者的区别非常大。在一些特殊应用中,场效应管AO3401比三极管更好,是三极管无法替代的。场效应管AO3401和三极管的作用 (1)场效应管是电压控制元件,晶体管是电流控制元件。当只允许从信号源汲取较少电流时,应使用场效应管;当信号电压低并且允许从信号源汲取更多电流时,应使用晶体管。 (2)场效应管利用多数载流子导电,故称为单极器件,晶体管既有多数载流子又有少数载流子导电,它被称为双极器件。 (3)部分场效应管的源漏极可以互换使用,栅极电压也可以正负,比晶体管灵活。 (4)场效应管可以在很小的电流和很低的电压条件下工作,其制造工艺可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一个硅片上。因此,场效应管在大规模集成电路中已被广泛使用。 (5)场效应管具有输入阻抗高、噪声低等优点,因此也广泛应用于各种电子设备中。尤其是采用场效应管作为整个电子设备的输入级,可以获得普通晶体管难以达到的性能。

7,三极管uce指的是哪段电压怎么算

Uce指的是集电极与发射极之间的电压。图中由于发射极没有串接电阻,所以Uce=Vcc-Ib*B*Rc=Ic*Rc如果发射极串联有电阻,则Uce=Vcc-Ic*(Rc+Re)
它是指集电极供电电源(对地)的电压,称vcc。基极供电电源电压(如果有的话)称vbb。发射极供电电源电压(如果有的话)称vee。  注意它们不是发射极、基极、集电极上的电压,而是电源电压,三极管放大的是信号,不能放大电源,电源是由稳压源、电池等能源提供的。

8,数字电路基础 二极管与门 vcc5v AB输入端的高低电平分别为3V

由于Vcc为5V,当A、B任一端为0V时,由于D1或D2,或两者都处于导通状态,基于其导通压降只有0.7V,所以Y点电压都将被钳位于0.7V; 当A、B两端同时处于3伏时,虽然两二极管还是一样处于正向导通状态,但此时对A端来说,Y点电压为A点电压加二极管正向压降0.7V,即3.7V,同样对B端来说Y点电压也应为3.7V,这样,在A、B两端同处3V电压时,Y点电压将保持于3.7V。 以Y点电压低于1V时作低电平,电压高于3V时为高电平看待,Y点只有在A、B两端同时处于高电平时,Y点输出高电平,这样就构成一个两输入端的正逻辑与门电路。

9,想用AO3401和SI2301两个MOS管做一个电源的控制电路可是两个三

不清楚你的电路形式,但是你的这两个MOS管都是在S、D极间内置有泄放保护二极管,估计是你的MOS管的S、D极相反接错了,导致电源通过内置二极管导通而不受控。
它们是什么丝印的?
1.先确定MOS管是否损坏2.三极管输出脚与MOS管G脚间是否已串接一个百Ω或几十Ω的电阻3.MOS管的D脚和S脚是否弄反(判断方法很简单,用数字万用表二极管档测量D和S脚,有0.7V左右压降的时候,红表笔接的是S黑表笔接的是D,因为MOS管内接了个反向保护二极管),希望能帮到你。
你好!1.先确定MOS管是否损坏2.三极管输出脚与MOS管G脚间是否已串接一个百Ω或几十Ω的电阻3.MOS管的D脚和S脚是否弄反(判断方法很简单,用数字万用表二极管档测量D和S脚,有0.7V左右压降的时候,红表笔接的是S黑表笔接的是D,因为MOS管内接了个反向保护二极管),希望能帮到你。打字不易,采纳哦!
你是怎么连接的电路?上图吧,为什么想用2个MOS管控制一个电源,一个不够吗?

10,三极管各个电极电平高低关系

NPN管判断方法如下:截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V)放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube;饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube。你的图(d)中,三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V 。这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态。PNP管判断如下:截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V)放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb;饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb。
一般情况要分pnp和npn类型管子,他们常规的关系是这样的——pnp发射机电压要高于基极电压,也要高于集电极电压!而npn管子正好相反!
NPN管判断方法如下:截止状态:Ube<0.7V;(如果是锗管则Ube<0.3V)放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube;饱和状态:Ube>0.7V,Uce0.7V,Uce0.7V,Uec>Ueb;饱和状态:Ueb>0.7V,Uec评论00加载更多
发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和,这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结,两个pn结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有pnp和npn两种。
一般情况要分pnp和npn类型管子,他们常规的关系是这样的——pnp发射机电压要高于基极电压,也要高于集电极电压!而npn管子正好相反!
http://www.xfu.edu.cn/dgdzjs/dgdzjs/dgdzwljx/mndzjs/dzjs1/d1z4-31.htm

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