mos耐压最高有多少，求一些5v电压就能完全导通mos管的型号最好是5v以内完全导通6
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-27 01:20:48
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1，求一些5v电压就能完全导通mos管的型号最好是5v以内完全导通6
2，这个mos管耐压多少谢谢
行业称为st75管，电动车控制器中老牌mos管，标称耐压75v，标称电流80a，早期在电动车控制器行业一统江湖，现在因为性价比（不是指性能）的原因市场占有率已大不如从前了
3，各位大侠求一对功率mos管需要耐压在50v以上Vgs在24v左右
为什么要Vgs24V，这管多的，如FK18SM，要学会变换电路，控制电压可用光耦转换，
4，反激电源中的MOS开关管的耐压值一般是多少
220v整流滤波后的电压在300v左右,而开关管的负载是磁芯变压器,也就是电感负载,理论上最高会有1倍的反向电动势,所以从可靠性方面来讲应选择>600v的管子为谊.
5，MOS 10N60 开启电压多少
10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A，耐压值为600，这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大，一般都在3~5V，而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管，其开启电压低的仅有1V，大部分都在3V以下。一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。
6，7nmMOS栅源电压最大可以到多少
大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
7，航模电调的mos管耐压要比电源高多少啊30v的场效应管可以用6s吗
如果要得到更专业的回答请上专业的模型论坛，比如我爱模型 模型世界等。你这个问题比较复杂，一般一架机飞多久和很多问题都有关，比如载机设计是否合理，电池有没有虚标，电机和桨的效率等，但你说的感觉就没电这个不知道是什么意思，一般模型用锂电电压不能低于3伏，否则会过放，但一些模友都把电压保留到3.3伏或更高才安心,而锂电充满只不过4.2伏,所以感觉没电不准确,应该连个电压计.而且四轴这种东西原本就比固定翼费电的.一般条件允许的话,多数使用多S的电池,效率会高一些,但也受到电机和配桨效率的影响.用高压电还是低压电主要取决于电调是不是支持，还有电机在高压下工作是不是高效。如果电机和电调都支持高压工作，并且效率好的话，那么应该尽量用高压。可以减少电流降低发热提高效率。
8，为什么电源ic规格书上内置mos只有耐压没有最大电流是多少
电源IC的规格书上肯定有最大输出电流的说明，这也可以看成是长期工作条件下，MOS管的正常工作电流。而真正的MOS管最大电流需要考虑散热、状态以及各种热阻，比这个数字要大很多，但这个数字你是做不到的，因为达到这个数字就意味着你的工作状态对于IC来说已经是超负荷了，也许要激活芯片的热保护等保护电路，事实上很可能做不到。如果你要设计这个内部电路，一般保守一点的，按芯片规格书相关参数放大5倍或更多来选型。会告诉你这个IC做宽电压或者窄电压或者裸机能做到最大功率?再看看别人怎么说的。电源IC规格书肯定是有说明的，比如说SD6904是内置的驱动，里面的MOS管的说明书也是有的，设计的电路图都是有的，不过看你用的是哪个品牌的IC了，这个也不一定！
9，三极管的极限参数有那些呢mos管的极限参数有那些呢两者有相同
三极管的极限参数一般是最大集电极电流Icm、集电极-基极间电压（集电结反向耐压）Vcbo、集电极-发射极间电压Vceo、发射极-基极间电压（发射结反向耐压）Vebo、最大允许耗散功率Pcm、最高和最低工作温度这几项，有的型号还给出很短时间内的最高管脚焊接温度。MOS管的极限参数一般包括源漏极间最大电压（类似三极管的Vceo）、栅漏极间最大电压（类似三极管的Vcbo）、最大漏极连续电流Id（类似三极管的Icm）、和最大漏极脉冲电流Idm（MOS管这个参数在三极管没有相应的）、最大允许耗散功率Pd、最高和最低工作温度、很短时间内的最高管脚焊接温度。三极管工作时，有两种载流子流过pn结，所以它是有两种载流子参与导电的器件。mos管工作时，源漏极之间只有一种载流子参与导电，栅源极、栅漏极之间没有载流子流过，所以它是只有一种载流子参与导电的器件。所以，mos管不是三极管。
10，80nf70的耐压是多少
场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。扩展资料场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。参考资料来源：搜狗百科-场效应管场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。主要原因还是耐压过低，得使用耐压100v的场效应管。管子耐压低，特征，工作短时间发热厉害，然后击穿。查一查管子的极性是否正确，推动电路tl494以及外围。场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。主要原因还是耐压过低，得使用耐压100V的场效应管。管子耐压低，特征，工作短时间发热厉害，然后击穿。查一查管子的极性是否正确，推动电路TL494以及外围。扩展资料：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。参考资料来源：搜狗百科-场效应管
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