mos开关管压降多少，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-09-17 10:08:12
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1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少
正常驱动10-15，不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。
2，一般MOS管的反向压降是多少伏
MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。
3，请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最
当IRF520场效应管的GS控制电压在10伏时，内阻最小，可达0.23欧姆。
4，一般接近开关的导通压降为多少
1、接近开关线圈数要根据你的磁头大小选择线径，尽量细一点的漆包线，大概绕个70匝就可以了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。2、导线长度确实会对继电器线包所加电压产生影响，低于85%额定电压就不能吸合了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。
5，12v的mos管开关电路 上电瞬间会把 同一个板子上共地的33v电压拉低
你好！1）你的PCB上地绘制可能有问题，可能MOS开通瞬间大电流经过3.3V地，造成地电平发生变化。2）还有就是这个大电流如果与3.3V有关的话那就是启动电流太大了，串电感抑制瞬间大电流或者增加3.3V电容增加抗冲击能力。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
6，ASEMI场效应管7N60的压降是多少
7N60参数描述型号：7N60封装：TO-220特性：低功耗场效应管电性参数：7A 600V连续二极管正向电流(IS)：7A脉冲二极管正向电流(ISM)：28A漏源电压(VDSS)：600V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.5V漏源击穿电流(IDSS)：1uA反向恢复时间(trr)：648NS工作温度：-55~+150℃引线数量：3 7N60插件封装系列。它的本体长度为16.0mm，加引脚长度为29.5mm，宽度为10.35mm，高度为4.55mm，脚间距为2.54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。
7，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏
你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。
8，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问
这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
9，50a mos管 三极管的也可以但是管压降越低越好用在5v40a开
管压降最低、简单、容易控制、通过的电流大、便宜……满足这些要求，如果是普通开关电路，为什么不使用小型功率继电器呢，不超过10块，还不容易烧，用8050驱动就可以了。去你最近的电子市场的继电器柜台找就可以了。如果是高速开关电路，可以考虑使用：2SK2987、2SK3125、BUK466-60H、BUK566-60H、BUZ111S、BUZ342、FDP7030、HRF3205、HUF75343、IRF1010、IRF2807、IRF3205等等，很多的，不过价钱各地不好说。1，MOS管损耗比三极管小 2，MOS管为电压驱动型，驱动电路比较简单，三极管为电流驱动型 3，MOS管的温度特性要比三极管好 MOS管比三极管最大的优点只要功率，耐压，电流这三大特性能达到或超过原三极管的是可以的，只是有些要在线路上改动一下。因它的g极电压要求的比一般三极管高。现的成规开关电源产品大量的就用它了。
10，开关电源MOS管有哪些损耗如何减少MOS管损耗
开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间（MTBF）。开关管的发热量是由损耗引起的，开关管的损耗由开关过程损耗和通态损耗两部分组成，减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。但更为重要的是通过设计更优的控制方式和缓冲技术来减小损耗，如采用软开关技术，可以大大减小这种损耗。减小功率二极管的发热量，对交流整流及缓冲二极管，一般情况下不会有更好的控制技术来减小损耗，可以通过选择高质量的二极管来减小损耗。对于变压器二次侧的整流可以选择效率更高的同步整流技术来减小损耗。对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。5.2.2 开关电源的散热设计MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。其值按热欧姆定律可表示为：比较复杂，开关管的损耗的计算也非常复杂 ，只有经验公式没有具体的数学公式，开关管的损耗一方面分为导通损耗，因为开关管的导通是有电阻的，而且此电阻受温度影响也特别大，所以不好计算，而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗，就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的zvs（零电压关断）与zcs（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。
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