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1，MOS管漏级接280V的直流高压那么栅极需要多大电压驱动呢

栅极的控制信号要在正负20V以内,一般正负12V则可以正常工作了.
如果是做开关管的话，请使用隔离变压器驱动PWM信号再看看别人怎么说的。

MOS管漏级接280V的直流高压那么栅极需要多大电压驱动呢

2，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏. MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的,会击穿.

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

3，MOS管参数

你确定有MT3205这个型号？我在比较权威的电子元器件网站怎么查不出来？另外，前面这个应该是IRF3205，这个很常见，可以轻松买到。你要是不放心，直接用前面这个好了。
mos管主要参数如下：1.开启电压vt·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。2. 直流输入电阻rgs·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。3. 漏源击穿电压bvds·在vgs=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds·id剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id4. 栅源击穿电压bvgs·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。5. 低频跨导gm·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征mos管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几ma/v的范围内6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用原点的ron来近似·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1～3pf·cds约在0.1～1pf之间8. 低频噪声系数nf·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝（db）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

MOS管参数

4，N沟道MOS管截止状态下栅极电压高于漏极电压MOS管就损坏

你问的太含糊，我先假设几种情况。1，栅极电压0V，栅极电压比漏极高说明漏极是负电压，源极电流通过寄生二极管流向漏极，电流太大mos管就坏了。2，漏极电压在正常供电范围(比如12V)，栅极电压高于漏极，也就是说VGS已经超过电源电压了，mos管已经导通了，何来截止一说？导通后电流过大就会坏掉

5，高压MOS和低压MOS是怎么区分的 高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。 做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

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