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1，关于mos管的开启电压问题

3842的6脚儿出来的驱动电压到底多少V呢？ 00:00 / 02:2570% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

关于mos管的开启电压问题

2，MOS管能否完全打开实验

为验证MOS管能否完全打开，将控制器的输出占空比设置为100％， 并接上PCB检验台上的假负载(7Ω左右电阻)。 在此条件下测量MOS管的参数。 Mos管编号1 电源电压（伏特）30 24 9 升压后电压（伏特）38.4 32.49 13.9 Mos管Vds（伏特）0.47 0.35 0.162 mos管Vgs（伏特）9.73 9.58 5.253 Mos管Id（安培）3.975 3.038 1.041 Mos管内阻（毫欧）118 115 155 热损耗（瓦特）1.8 1.0 0.16 在9-30V不同电压下，MOS管Vgs均大于5V，大于MOS管的VGS(th)（2-4V）， 因此控制器上的mos管可完全打开。

MOS管能否完全打开实验

3，ASEMI中低压MOS管ASE60N10的详细参数是多少

型号：ASE60N10漏极-源极电压（VDS）：100V栅源电压（VGS）：±20V漏极电流（ID）：60A功耗（PD）：160W储存温度（Tstg）：-55 to 175℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ二极管正向电压（VSD）：0.85V输入电容（Ciss）：3969pF二极管反向恢复时间（trr）：35nsASE60N10封装规格：封装：TO-263总长度：16mm本体长度：10.8mm宽度：10.2mm高度：4.7mm脚间距：5.28mmASE60N10特征：低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的门电荷：Qg=146.1nC（典型值）。BVDSS=100V，ID=60ARDS（开启）：17m? （最大值）@VG=10V100%雪崩测试

ASEMI中低压MOS管ASE60N10的详细参数是多少


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