nmos管导通压降是多少，硅二极管导通时的正向管压降为多少

1，硅二极管导通时的正向管压降为多少

一个实际的硅二极管正向电压降要看流过的电流大小。uA级电压0.4V左右；mA级0.7V左右；安培级1V左右。

硅二极管导通时的正向管压降为多少

2，mosfet 的导通电压阈值是多少

N 沟道导通电压阈值约0.8V ,但保障MOSFET导通内阻达到标称值，还需要提高MOSFET的门极电压，门极电压极限值约为20V.

mosfet 的导通电压阈值是多少

3，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。

你好！用AO4407试试如有疑问，请追问。

为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

4，场效应管导通压降一般多少

场效应管导通压降一般多少，180nm工艺及以下的制程基本都能达到50mV以下了(IDS=1mA)MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

5，MOS管打开时是否正向和反向都能导通

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管ds之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。这里有些人可能不清楚的地方是：mos管打开，且ds之间加了反偏电压后，mos处于什么工作状态？就是处于导通，而且基本和打开之后的正偏一样的导通。由于这个特性，比如mos管需要体二极管来进行反偏续流的时候，可以通过一些手段同时把mos管打开，这样做会使导通压降会小很多，达到减少mos管发热量的目的。

1. 所有的MOS都是通过沟道导通而不是PN结导通，沟道等效为电阻，电流是可以双向流动的。只有IGBT里面的NPN结构不会因为栅极的电压而改变其二极管的特性，所以IGBT导通时等效为二极管，二极管是有方向性的。前面答主提到了MOS的反并联二极管，无论栅极是否施加电压，只要Vsd大于二极管的开启电压Vdiode（通常为0.8V或更高），MOS都是可以反向导通电流的。2. 综合以上两点，当NMOS施加了反向电压，即Vds<0，会出现两种导通情况：1， Vgs<Vth，Vsd必须大于Vdiode才会出现反并联二极管导通；2. Vgs>Vth，沟道打开，0<Vsd<Vdiode时，只有沟道导通，电流方向从s到d；Vsd>Vdiode，沟道和反并联二极管同时导通，具体的分流配比需要综合考虑沟道电阻和二极管特性。

6，如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。一、先确定MOS管的引脚： 1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可； 1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。 2、找到D极后，将万用表调至二极管档； 3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。二、MOS管好坏的测量： 1、当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个导通压降，一般在0.5 V左右为正常； 2、G脚测量，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极； 3、再次把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降，一般在0.3 V左右为正常；

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