1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，mos管100n50驱动电压电流多大

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。电压一般在2.5伏左右

mos管100n50驱动电压电流多大

3，MOS管的输入电压高好还是低好

什么意思？对于不同型号、不同应用场合的MOS管的栅极输入的控制电压是不一样的。不能笼统地说高好还是低好。应该说只要符合具体应用就好。
都是mos，大多用于开关作用高阀值的适合高电压pwm驱动，比如10v以上的；低阀值的适合低电压pwm驱动，比如5v左右的。

MOS管的输入电压高好还是低好

4，mosfet实际常用的正驱动电压是

mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。具体可以根据相应的规格书规格进行选择，不要盲目，还有导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

5，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

6，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。扩展资料：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。参考资料来源：百度百科-mos管

7，单片机PWM驱动mos管

IRF540就是很常用的MOS管了特殊负载如H桥里面的双MOS驱动有专用的驱动芯片如IR2103如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管如图CPAL
可以，但导通电阻较大，因为功率MOS的G极最大限压30v，一般驱动电压在10~15v，比较合适，建议你通过光驱去驱动MOS管。

8，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。
保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

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