1,三极管在三种状态下基极电流都是什么范围

截止状态下,Ib为Ibeo近似于0。放大状态下,Ib=Ube/rbe一般为微安级饱和状态下,Ib==Ube/rbe,,饱和是指集电极电流不受基极电流的控制。 与集电极电阻没有关系。

三极管在三种状态下基极电流都是什么范围

2,普通S8050的三极管基极的电流最大能流过多少mA

普通三极管S8050的集电极电流最大为650mA。如果电流不能满足要求,可以选用SS8050,这个管子最大电流可达1.5A。封装、管教排列与S8050完全相同。

普通S8050的三极管基极的电流最大能流过多少mA

3,灯是6V6瓦的三极管的放大倍数是40倍那么三极管基极电流是

电源电压6伏,灯泡额定电压也是 6 伏,功率 6 瓦,那么灯泡额定电流为 1 安三极管放大倍数是 40 倍,那么基极电流至少为 0.025 安考虑三极管发射结压降0.6—0.7伏,以及电阻系列值,电阻选220欧姆的

灯是6V6瓦的三极管的放大倍数是40倍那么三极管基极电流是

4,三极管基极电流是多少

其一集电极最大允许电流ICM,使用晶体不得超过此电流值;其二集电极—发射极击穿电压BUceo,即基极开路时,加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM,由于集电极电流在集电极产生热量,使结温升高,超过这一功耗,晶体管可能损坏。

5,求三极管基极电流

三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。  基极电流是载流子在基区扩散与复合形成的复合电流。
做电子电路要严谨,别用估计的,只要你的基极电流超过基极对发射极的漏电流,管子则进入放大状态,随着基极电流的上升,直至三极管进入饱和

6,三极管的开启电压和电流是多少

三极管的开启电压一般在0.6~0.8V之间,由于基极的电流是非常小的,一般是不以计算的,仅计算集电极或发射极的电流,具体的计算方法要根据电路的参数来确定。假如,基极的电压为2V,那么发射极的电压为Ue=2-0.7=1.3V,这时如果发射极接有一只1.3k的电阻Re,那么发射极的电流Ie=Ue/Re=1.3/1.3=1(mA)。

7,三极管的工作电压和电流是多少

三极管的工作电压,是指集电极发射极之间的电压;三极管工作电流,是指发射极电流。由于三极管型号很多,各种型号的参数区别,工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级,从30V开始,高的可以达到1000V,甚至更高。工作电流等级,从100毫安到几安培几十安培的都有。对于不确定的三极管型号,是无法知道其工作电压和电流的。
三极管的开启电压一般在0.6~0.8v之间,由于基极的电流是非常小的,一般是不以计算的,仅计算集电极或发射极的电流,具体的计算方法要根据电路的参数来确定。假如,基极的电压为2v,那么发射极的电压为ue=2-0.7=1.3v,这时如果发射极接有一只1.3k的电阻re,那么发射极的电流ie=ue/re=1.3/1.3=1(ma)。

8,此三极管基极电流是多大

这个接法的三极管,集电极与基极同电位且反偏,15.6μA应是漏电流,基极电流应为(5V-0.8V)/1K=4.2mA
你这个三极管不导通吧,基极跟集电极电位一样啊!
三极管能不能导通、导通程度多大就看基极电流是多大了。具体电流是多大,我没法准确告诉你。一般小信号放大时基极电流都在微安甚至纳安级别,而大功率使用时基极电流也可以高达几安培甚至更大。
发射极电流=(5-0.7)/1000,基极电流=发射极电流/放大系数。
一楼和二楼所计算的不是基极电流,而是发射极电流 。Ie=(V1-0.7)/R2=(5-0.7)/1000=4.3mA而Ie=(β+1)Ib,所以Ib=Ie/(β+1) =4.3mA/(β+1)如果β=100,那么Ib=4.3mA/101=0.043mA=43μA关键就看你的β是多大的了。

9,关于pnp型三级管当开关用时基极输入电压电流一般多大特急

PNP还是NPN?如果是PNP基极电压应该在0.7伏关闭(截止),在-0.7开启(导通),如果是NPN型就是相反的。基极输入电流:开启时一般选取1毫安-5毫安即可,关闭时电流为0.三极管放大倍数20以上。
是当开关还是做稳压用啊, 24v的电压加在5v的电机上还是降压稳压吧。 你用NPN型管集电极加上+24v,基极稳定在5.7v,这样发射极就能输出5v电压供给电机。 NPN型三极管的发射结电压是0.7v。
三极管作为开关使用时,npn型基极:( 高) 电压导通,pnp型基极:(低 ) 电压导通解释:三极管要导通,发射结一定是要正偏的截至区是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,ube<=uon且uce>ube 饱和区是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,ube>uon且 uce
到底是PNP还是NPN呢?你最好要确定PLC是否是开集电极输出的。24V好像应该是内置三极管的耐压。具体需要多大的电流要根据使用的三极管来定。我一般用C极电流除以放大倍数然后乘2~5来选取开关状态下的基极电流。

10,基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V 。判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流,如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流,则可判断电路此时处于饱和状态。饱和的条件:1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素:1.集电极电阻 越大越容易饱和;2.管子的放大倍数 放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小;饱和后的现象:1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右,基极为0.7左右(假设e极接地)。扩展资料:三极管饱和问题总结:1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和。3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。参考资料来源:百度百科——基极电流
基极电流达到多少时三极管饱和?这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V 这就是9013的特性表:
Uce=Uces,即使在饱和状态下Ube ≈0.7v,9013、9012饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的,电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic(βIb>>Ic),因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL,即Ic≈Ucc/RL,三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大。扩展资料:注意事项:1、使用时工作电压或脉冲峰值应小于三极管的V,反向击穿电压。2、在大功率情况下使用应加相应的散热板。3、挑选三极管时应注意三极管的穿透电流和与之相适应的频率特性。4、由于Cbc的存在,当输入信号的频率过高时,Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差,所以这样也会降低基极的电位,电压增益也由此下降。5、由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,会使得三极管的放大作用大打折扣,还会因此引起额外的相位差。参考资料来源:百度百科-基极电流参考资料来源:百度百科-晶体管饱和区参考资料来源:百度百科-三极管参考资料来源:百度百科-集电极
Vce=VCC(电源电压)-Vc(集电极电压)=VCC-Ic(集电极电流)Rc(集电极电阻)。可以看出,这是一条斜率为-Rc的直线,称为“负载线”。当Ic=0时,Vce=Vcc。当Vce=0时(实际上正常工作时Vce不可能等于0,这是它的特性决定的),Ic=Vcc/Rc。也就是说,Ic不可能大于这个数值。对应的基极电流Ib=Ic/β=Vcc/βRc。这就是饱和基极电流的计算公式。饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当Ib=Vcc/βRc时,三极管基本处于临界饱和状态。当基极电流大于此值的两倍,三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的Vce差很大。临界饱和压降大,但退出饱和容易;深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以,不同用途选择的基极电流是不一样的。还有,饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小,饱和集电极电流就越大,饱和压降越大。反之也相反。如果集电极电流5毫安时三极管饱和,9013、9012之类的饱和压降一般不超过0.6伏。基极电流超过两倍Vcc/βRc时,一般饱和压降就小到0.3V左右了。具体的可查晶体管手册。如果你手头有某一三极管的输出特性曲线,就可以在此特性曲线上把负载线画出来。它与对应的Ib曲线的交点,就是它在这个电流下的集电极电压。
基极电达到饱合时的电流不是由型号决定的。 它与电路形式与参数有关。只要ib>ic/β就是饱合的状态。 又 因i/c的大小又与电源压、rc等有关,所以要终合考虑。

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