mos管的死区时间是多少，逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

1，逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

2，为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

逆变电路中，半桥和全桥都有上下两个桥臂，由于器件延时的原因，如不控制死区时间，总是有可能出现相知桥臂同时导通的现象（短路），所以一定要设置死区时间。一般看你选用的开头管的响应时间（请注意：开，关时间不一定一样，取其长的），取其3—4倍作为死区时间应该是保险的。

为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

3，各位大侠公司DCDC的高频开关电源使用的是全桥拓扑结构最近发现

当然会，如果占空比达到50％，由于MOS管本身的关断延迟，必定会上下桥臂直通短路。设计全桥时一定要设定死区时间，或者将占空比最大限制在48％而不能是50％。根据MOS管本身的恢复时间来确定死区时间的长短。死区（即上下桥臂脉冲都不能导通）时间一定要大于MOS管的恢复时间，否则就会像你的产品一样同时导通炸掉。

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