1，三星 ddr3 1333 1g的内存条是40nm制程吗注意是1g

不是的。第一款40NM制程的是DDR3 1333 2G的

三星 ddr3 1333 1g的内存条是40nm制程吗注意是1g

2，支持DDR3的cpu

一代至四代intle酷睿CPU以及AMD CPU都支持DDR3内存。
主要是主板支持
只要是45纳米的 amd的cpu都支持ddr3 65纳米的 不支持

支持DDR3的cpu

3，金士顿KingstonDDR3 1600 是几纳米制程的与 三星

都能使用，放心用，就算两款混用也没有问题。不过还是尽量用同频率的。
金士顿40奈米、黑武士30奈米， 都一样，黑武士以超频出名，都能完美兼容，有钱就上黑武士，想省钱就上金士顿，加跟内存条只不过是运行稍微流畅罢了。

金士顿KingstonDDR3 1600 是几纳米制程的与 三星

4，老板们谁有台式机的DDR3 1066 2G内存条啊多少米

2根512M海盗船原装带散热片DDR2 667内存，加钱换根2G的。规格533以上就行。
DRAM #1 插槽 2 GB (DDR2-667 DDR2 SDRAM)我的，我现在也想求一根相同型号的。。。升级下
可以去B 大哪里买，，160的价格 但是您不能还价了，就赚1块钱。。
回复 6# DDR2 800买回去降频用就是了，不过现在DDR2条子价格不好，比D3贵50%
回复 1# DDR3 1333的条子买回去降频用就是了，28日的价格是2G的180左右
回复 11# 友通数码港2楼 左转第一家 同城高清，找小猪

5，目前的DDR3的内存规格

日前，一家名为ChileHardware的硬件网站透露了一组关于Intel下一代芯片组P35芯片主板的实物，映泰制造，它可谓支持DDR3内存的先行者。P35芯片组最高支持1066MHz的DDR3内存，支持1333MHz的处理器总线，支持Core 2 Duo，Core 2 Quad和Celeron 400系列处理器。根据Intel早前透露的芯片组路线图来看，下一代Bearlake芯片组将首先支持DDR3内存标准，最早将于2007年底亮相。DDR3相比起DDR2有更高的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。也就是说，现在DDR3面世的最低为DDR3/800，目前最高是的DDR3/1066~

6，说内存是30nm级是什么意思

应该是指30纳米工艺，数越小代表越先进
30纳米级意味着一个加工技术节点在30至39纳米之间。数字越小说明技术越好，效率越高。启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。三星金条30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30％的功耗。因此又称为绿色内存（Green DRAM）。去年下半年，此项工艺技术已经得到三星电子加速量产，许多消费者从中受益。具备低功耗、低发热、绿色化表现，成为消费者选择内存重要指标。三星金条30nm制程工艺内存，芯片颗粒体积更小，颗粒间距加大，加强内存芯片间的散热效果，另外低电压、低功耗表现更加让人满意。高品质的内存颗粒完全适合游戏玩家、发烧友、OEM商的要求。30nm工艺制程内存运用到笔记本中，有效解决笔记本电脑散热和稳定运行，充分体现30nm工艺内存的强大。

7，内存DDR3的参数是多少

一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： 　　DDR3 　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 　　二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 　　1.突发长度（Burst Length，BL） 　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 　　2.寻址时序（Timing） 　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能 　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

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